[发明专利]一种高温静电卡盘及其制作方法

权利要求书

1.一种高温静电卡盘，其特征在于：包括基座(1)，所述基座(1)上方依次设有上过渡层(2)、吸附电极层(3)和上绝缘层(4)，所述基座(1)下方依次设有下过渡层(5)、加热电极层(6)和下绝缘层(7)，所述吸附电极层(3)包括双吸附电极，吸附晶片时双吸附电极分别通以幅度相同、极性相反且相位相差180°的直流脉冲电压，释放晶片时双吸附电极的正负极性互换，所述加热电极层(6)包括至少两个加热区，各加热区的圆心重合并均匀布置，各加热区的加热功率独立控制，所述双吸附电极包括第一吸附电极(I)和第二吸附电极(II)，所述第一吸附电极(I)包括U型部(31)以及两个C型部(32)，两个所述C型部(32)分设于所述U型部(31)的两侧且开口相对布置，其中一个所述C型部(32)与所述U型部(31)一侧的上端相连，另一个所述C型部(32)与所述U型部(31)另一侧的下端相连，所述第二吸附电极(II)与所述第一吸附电极(I)嵌套配合以形成圆形的吸附电极层(3)。

2.根据权利要求1所述的高温静电卡盘，其特征在于：所述加热电极层(6)相邻两圈的绕制方向相反。

3.根据权利要求2所述的高温静电卡盘，其特征在于：所述加热电极层(6)包括三个加热区，内侧的加热区面积占总面积的35-45％，中间的加热区面积占总面积的33-40％，外侧的加热区面积占总面积的20-26％。

4.根据权利要求1所述的高温静电卡盘，其特征在于：所述第一吸附电极(I)和所述第二吸附电极(II)上均设置有引线孔(33)，所述第一吸附电极(I)和所述第二吸附电极(II)之间的间隙内布置有接地针孔(34)、至少三个顶架孔(35)以及多个气孔(36)，所述顶架孔(35)内装配有用来装卸晶片的顶针，所述接地针孔(34)内装配有接地针，多个气孔(36)沿圆周方向均匀布置，所述第一吸附电极(I)和所述第二吸附电极(II)上与所述接地针孔(34)对应处均设有圆弧缺口(37)，所述第一吸附电极(I)和所述第二吸附电极上与顶架孔(35)对应处均设有圆弧缺口(37)，所述第一吸附电极(I)或所述第二吸附电极(II)上与所述气孔(36)对应处设有圆弧缺口(37)。

5.根据权利要求1至4任一项所述的高温静电卡盘，其特征在于：所述基座(1)为陶瓷基座或石英基座，所述上过渡层(2)和所述下过渡层(5)均为钛膜层，所述吸附电极层(3)为氧化锡铟膜层或铜膜层，所述上绝缘层(4)为氧化硅膜层，所述加热电极层(6)为钨膜层，所述下绝缘层(7)为氧化铝膜层。

6.根据权利要求5所述的高温静电卡盘，其特征在于：所述基座(1)的厚度为3.5-4.5mm，所述上过渡层(2)和所述下过渡层(5)的厚度为18-22nm，所述吸附电极层(3)的厚度为9-11um，所述上绝缘层(4)的厚度为18-22um，所述加热电极层(6)的厚度为9-11um，所述下绝缘层(7)的厚度为26-33um。

7.一种权利要求1至6中任一项所述的高温静电卡盘的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、采用磁控镀膜在基座(1)的上、下表面分别沉积上过渡层(2)和下过渡层(5)，并利用掩膜技术遮挡不需要镀膜的区域；

S2、采用磁控镀膜在下过渡层(5)下表面沉积加热电极层(6)，并利用掩膜技术遮挡不需要镀膜的区域，加热电极的终端引线采用沉积过孔引出至下绝缘层(7)下方；

S3、采用气相沉积法在加热电极层(6)下表面沉积下绝缘层(7)；

S4、采用磁控镀膜在上过渡层(2)上表面沉积吸附电极层(3)，并利用掩膜技术遮挡不需要镀膜的区域；或采用电镀法在上过渡层(2)上表面形成吸附电极层(3)；

S5、采用气相沉积法在吸附电极层(3)上表面沉积上绝缘层(4)。