[发明专利]一种温度补偿薄膜电阻及其制作方法

权利要求书

1.一种温度补偿薄膜电阻，其特征在于，包括衬底、SiN_x薄膜、金属引线、氮化钽薄膜和氮化钛薄膜，所述SiN_x薄膜设置于衬底上方，所述金属引线、氮化钽薄膜和氮化钛薄膜均设置于SiN_x薄膜上方，所述金属引线设置于薄膜SiN_x上表面两端位置，所述氮化钽薄膜和氮化钛薄膜设置于SiN_x薄膜两端的金属引线之间，所述氮化钽薄膜与氮化钛薄膜相互连接后连接至SiN_x薄膜两端的金属引线，以控制氮化钽薄膜电阻温度系数。

2.根据权利要求1所述一种温度补偿薄膜电阻制作方法，其特征在于，所述氮化钽薄膜与氮化钛薄膜采用串联式连接，氮化钽薄膜和氮化钛薄膜均设置于薄膜SiN_x上表面，氮化钽薄膜一端与氮化钛薄膜一端通过重叠设置连接或通过金属引线连接，氮化钽薄膜另一端和氮化钛薄膜另一端分别与SiN_x薄膜两端的金属引线连接，其中，氮化钛薄膜和氮化钽薄膜的长度之比为0.6:1~0.9:1，氮化钛薄膜和氮化钽薄膜的厚度分别为40nm~100nm。

3.根据权利要求1所述一种温度补偿薄膜电阻制作方法，其特征在于，所述氮化钽薄膜与氮化钛薄膜采用并联式连接，氮化钽薄膜设置于SiN_x薄膜上表面，氮化钛薄膜覆盖在氮化钽薄膜上形成双层氮化物薄膜，双层氮化物薄膜两端分别与SiN_x薄膜两端的金属引线连接，其中，氮化钛薄膜和氮化钽薄膜的厚度分别为40nm~100nm，且氮化钛薄膜和氮化钽薄膜的厚度之比为0.8:1~1:1。

4.一种温度补偿薄膜电阻制作方法，其特征在于，具体内容如下：

S11.通过PECVD沉积一定厚度的SiN_x在半导体晶圆上；

S12.在晶圆SiN_x薄膜上旋涂光刻胶并通过掩膜光刻及显影工艺，在SiN_x薄膜上目标区域形成长宽尺寸均在2微米以上的第一图形；

S13.采用一定比例的氩、氮混合气等离子化后轰击高纯钽靶，通过反应溅射形成一定厚度的氮化钽薄膜；

S14.通过剥离工艺去除多余的光刻胶及覆盖在光刻胶上的氮化钽薄膜，清洗并干燥；

S15.在晶圆SiN_x薄膜上旋涂光刻胶并通过掩膜光刻及显影工艺，紧邻已形成的氮化钽薄膜形成长宽尺寸均在2微米以上的第二图形；

S16.采用一定比例的氩、氮混合气等离子化后轰击高纯钛靶，通过反应溅射形成一定厚度的氮化钛薄膜；

S17.通过剥离工艺去除多余的光刻胶及覆盖在光刻胶上的氮化钛薄膜，清洗并干燥；

S18.通过掩膜光刻、蒸镀金属及剥离工艺，在SiN_x薄膜两端形成金属引线，完成串联式温度补偿薄膜电阻的制作。

5.根据权利要求4所述一种温度补偿薄膜电阻制作方法，其特征在于，所述步骤S13及S16所形成的氮化钛薄膜和氮化钽薄膜的长度之比为0.6:1~0.9:1，氮化钛薄膜和氮化钽薄膜的厚度分别为40nm~100nm。

6.根据权利要求5所述一种温度补偿薄膜电阻制作方法，其特征在于，所述氮化钛薄膜和氮化钽薄膜的长度之比为TiN:TaN=0.75:1，氮化钛薄膜和氮化钽薄膜的宽度和厚度相同，厚度为50nm。