[发明专利]图像传感器在审
申请号: | 201810275410.5 | 申请日: | 2018-03-29 |
公开(公告)号: | CN108695350A | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 尹浈斌;沈殷燮;李景镐;崔成浩;朴正勋;林政昱;郑闵至 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电转换元件 图像传感器 像素晶体管 微透镜 浮置扩散区域 第二区域 第一区域 像素区域 衬底 配置 | ||
1.一种图像传感器,包括:
衬底,包括第一区域、在第一方向上与所述第一区域相邻设置的第二区域、在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述第一区域相邻设置的第三区域、以及在所述第二方向上与所述第二区域相邻设置并且在所述第一方向上与所述第三区域相邻设置的第四区域;
第一微透镜,设置为在平面视图中与所述第一区域和所述第二区域重叠;
第一光电转换元件,设置在所述第一区域的第一像素区域中;
第二光电转换元件,设置在所述第二区域的第二像素区域中,所述第一微透镜在所述平面视图中至少部分地与所述第一光电转换元件和所述第二光电转换元件两者重叠;
第二微透镜,设置为在所述平面视图中与所述第三区域和所述第四区域重叠;
第三光电转换元件,设置在所述第三区域的第三像素区域中;
第四光电转换元件,设置在所述第四区域的第四像素区域中,所述第二微透镜在所述平面视图中至少部分地与所述第三光电转换元件和所述第四光电转换元件两者重叠;
第一转移栅极、第二转移栅极、第三转移栅极和第四转移栅极,分别被配置为控制由所述第一光电转换元件、所述第二光电转换元件、所述第三光电转换元件和所述第四光电转换元件提供的第一信号、第二信号、第三信号和第四信号的转移;
浮置扩散区域,被配置为接收所述第一信号、所述第二信号、所述第三信号和所述第四信号中的任一个;以及
第一像素晶体管、第二像素晶体管和第三像素晶体管,被配置为执行彼此不同的功能,所述第一像素晶体管、所述第二像素晶体管和所述第三像素晶体管中的每一个设置在第一像素区域、第二像素区域、第三像素区域和第四像素区域的至少一个中,所述第一像素区域、所述第二像素区域、所述第三像素区域和所述第四像素区域分别设置在所述第一区域、所述第二区域、所述第三区域和所述第四区域中,并且所述第一像素区域、所述第二像素区域、所述第三像素区域和所述第四像素区域彼此不同,
其中所述第一像素晶体管包括多个第一像素晶体管。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述衬底还包括在所述第二方向上与所述第三区域相邻设置的第五区域、在所述第二方向上与所述第四区域相邻设置并且在所述第一方向上与所述第五区域相邻设置的第六区域、在所述第二方向上与所述第五区域相邻设置的第七区域、以及在所述第二方向上与所述第六区域相邻设置并且在所述第一方向上与所述第七区域相邻设置的第八区域,
所述图像传感器还包括:
第三微透镜,设置为在所述平面视图中与所述第五区域和所述第六区域重叠;
第五光电转换元件,设置在所述第五区域的第五像素区域中;
第六光电转换元件,设置在所述第六区域的第六像素区域中,所述第三微透镜在所述平面视图中至少部分地与所述第五光电转换元件和所述第六光电转换元件两者重叠;
第四微透镜,设置为在所述平面视图中与所述第七区域和所述第八区域重叠;
第七光电转换元件,设置在所述第七区域的第七像素区域中;
第八光电转换元件,设置在所述第八区域的第八像素区域中,所述第四微透镜在所述平面视图中至少部分地与所述第七光电转换元件和所述第八光电转换元件两者重叠;以及
第五转移栅极、第六转移栅极、第七转移栅极和第八转移栅极,分别被配置为控制由所述第五光电转换元件、所述第六光电转换元件、所述第七光电转换元件和所述第八光电转换元件提供的第五信号、第六信号、第七信号和第八信号的转移;
其中所述第五区域、所述第六区域、所述第七区域和所述第八区域分别包括第五像素区域、第六像素区域、第七像素区域和第八像素区域,并且所述第五像素区域、所述第六像素区域、所述第七像素区域和所述第八像素区域分别与所述第五区域、所述第六区域、所述第七区域和所述第八区域不同,以及
其中所述浮置扩散区域被配置为接收所述第一信号、所述第二信号、所述第三信号、所述第四信号、所述第五信号、所述第六信号、所述第七信号和所述第八信号中的任一个。
3.根据权利要求2所述的图像传感器,其中所述第一像素晶体管包括第四像素晶体管和第五像素晶体管,
其中所述第四像素晶体管设置在所述第一像素区域或所述第五像素区域中,以及
其中所述第五像素晶体管设置在所述第二像素区域、所述第五像素区域和所述第六像素区域的任一个中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的