[发明专利]蚀刻方法、蚀刻装置以及存储介质

权利要求书

1.一种蚀刻方法，其特征在于，

将包含H₂气体或NH₃气体的蚀刻气体在被激励了的状态下供给到被处理基板，所述被处理基板具有包括含硅材料的绝缘膜以及在所述绝缘膜上形成的不含硅的锗膜；以及

相对于所述绝缘膜选择性地刻蚀所述锗膜。

2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述绝缘膜是硅膜、硅锗膜、氮化硅膜以及氧化硅膜中的任一个。

3.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于，

在所述蚀刻时，将压力设为6.7Pa～133Pa的范围。

4.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于，

在所述蚀刻时，将所述被处理基板的温度设为200℃～400℃的范围。

5.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述蚀刻气体在被进行了等离子体化的状态下进行供给。

6.一种蚀刻装置，对被处理基板进行蚀刻，其特征在于，具备：

处理容器，其收容所述被处理基板，所述被处理基板具有包括含硅材料的绝缘膜以及在所述绝缘膜上形成的不含硅的锗膜；

气体供给部，其对所述处理容器内供给规定的气体；

激励机构，其对所述规定的气体进行激励；

加热机构，其对所述处理容器内进行加热；

排气机构，其对所述处理容器内进行排气来将所述处理容器设为减压状态；以及

控制部，其对所述气体供给部、所述激励机构、所述加热机构以及所述排气机构进行控制，

其中，所述控制部利用所述排气机构将所述处理容器内控制为规定的减压状态，利用所述加热机构将所述处理容器内控制为规定温度，

从所述气体供给部供给包含H₂气体或NH₃气体的蚀刻气体，利用所述激励机构对所述蚀刻气体进行激励，

将被激励了的状态下的蚀刻气体供给到所述处理容器内的所述被处理基板，以相对于所述绝缘膜选择性地蚀刻所述锗膜。

7.根据权利要求6所述的蚀刻装置，其特征在于，

所述激励机构是等离子体生成机构。

8.一种存储介质，存储有在计算机上进行动作且用于控制蚀刻装置的程序，其特征在于，

所述程序在被执行时，使计算机控制所述蚀刻装置，来进行根据权利要求1至5中的任一项所述的蚀刻方法。