[发明专利]电流产生电路和包括其的带隙基准电路及半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，具备：

基准电压电流产生电路，产生基准电压以及基准电流中的至少任一个；

内部LDO调节器，产生与所述基准电压以及所述基准电流中的至少任一个对应的内部电源电压；

传感器部，通过所述内部电源电压被驱动，将从外部输入的模拟信号转换成数字信号；以及

数字部，通过所述内部电源电压被驱动，对从所述传感器部接收到的所述数字信号执行预定的处理，并输出处理结果，

所述基准电压电流产生电路具备：

带隙基准电路；以及

基准电压电流产生部，根据从所述带隙基准电路输出的电压，产生所述基准电压和所述基准电流中的至少任一个，

所述带隙基准电路具备：

第二电阻元件；

第一双极晶体管，第一双极晶体管的基极和集电极相互连接；

第二双极晶体管，第二双极晶体管的基极和集电极相互连接；

第一电流分配电路，使与第一控制电压对应的第一电流和与该第一电流成比例的第二电流分别在所述第一双极晶体管和所述第二双极晶体管各自的集电极和发射极之间流过，并且还使与所述第一电流和所述第二电流成比例的第三电流流过所述第二电阻元件；

第一NMOS晶体管，设置在所述第一双极晶体管与所述第一电流分配电路之间，栅极被供给第二控制电压；

第二NMOS晶体管，设置在所述第二双极晶体管与所述第一电流分配电路之间，栅极被供给所述第二控制电压；

第一电阻元件，设置在所述第二NMOS晶体管与所述第二双极晶体管之间；

第一运算放大器，产生与所述第一NMOS晶体管的漏极电压和基准偏压对应的所述第二控制电压；

第二运算放大器，产生与所述第二NMOS晶体管的漏极电压和所述基准偏压对应的所述第一控制电压；

第三电阻元件；

第二电流分配电路，使第四电流流过所述第三电阻元件，并且还使与所述第四电流成比例的第五电流在流过所述第三电流的所述第二电阻元件中流过；以及

第三NMOS晶体管，设置在所述第三电阻元件与所述第二电流分配电路之间，栅极被供给所述第二控制电压，

输出与所述第二电阻元件的电阻值以及流过所述第二电阻元件的电流的值对应的电压。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一双极晶体管和所述第二双极晶体管均是PNP型双极晶体管。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一NMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管均是耗尽型或自然型MOS晶体管。