[发明专利]晶圆处理方法在审
| 申请号： | 201810274106.9 | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN108493103A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 刘庆;王福喜;昂开渠;任昱;吕煜坤;朱骏 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/687 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆 静电荷 顶针 动态对准 干法刻蚀 湿法刻蚀 氩气 偏移 氦气 圆顶 背面 产品良率 晶圆表面 球状缺陷 卡盘 破片 种晶 冷却 传递 | ||
1.一种晶圆处理方法，其特征在于，所述晶圆处理方法包括：
将待处理晶圆设置在卡盘上，所述待处理晶圆完成干法刻蚀；
在所述待处理晶圆的背面通入氦气，在所述待处理晶圆的正面通入氩气；
通过顶针将所述待处理晶圆顶起，进行湿法刻蚀工艺。
2.如权利要求1所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述顶针包括施力反馈装置和支撑端，所述施力反馈装置通过具有压力调节阀的压缩气体控制所述支撑端对于所述待处理晶圆顶起时的施力。
3.如权利要求2所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述支撑端包括三个支撑部，所述三个支撑部均匀分布将所述待处理晶圆顶起。
4.如权利要求2所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述施力反馈装置的施力为33Psi～70Psi。
5.如权利要求1所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述卡盘为静电吸附卡盘。
6.如权利要求1-5中任意一项所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述晶圆处理方法还包括：在通入氦气以及氩气前，在所述卡盘上施加反向电压。
7.如权利要求1-5中任意一项所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述氦气的流量为300sccm～1000sccm。
8.如权利要求1-5中任意一项所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述氩气产生的压强为1torr～5torr。
9.如权利要求1-5中任意一项所述的晶圆处理方法，其特征在于，通入氦气以及通入氩气的时间为30S～50S。
10.如权利要求1-5中任意一项所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述晶圆处理方法还包括：对所述待处理晶圆进行动态对准偏移检测，所述动态对准偏移量小于等于4mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810274106.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
