[发明专利]基准电压发生装置

权利要求书

1.一种基准电压发生装置，其特征在于，该基准电压发生装置具备：

第一恒定电流电路，其针对输入电压而输出第一恒定电流；

第二恒定电流电路，其针对所述输入电压而输出第二恒定电流；及

电压生成电路，其生成基于输入电流的电压，

将基于所述第一恒定电流与所述第二恒定电流之差的电流作为所述电压生成电路的所述输入电流，从所述电压生成电路输出基准电压，

所述第一恒定电流电路具备耗尽型MOS晶体管，该耗尽型MOS晶体管的栅极和源极电连接，该耗尽型MOS晶体管基于从漏极输入的电压而从所述源极输出所述第一恒定电流，

所述电压生成电路具备第一增强型MOS晶体管，该第一增强型MOS晶体管的栅极和漏极电连接，该第一增强型MOS晶体管将从所述漏极输入的电流作为输入，在所述漏极中生成电压，

所述第二恒定电流电路是PN结二极管，该PN结二极管基于从阴极输入的电压而从阳极输出所述第二恒定电流。

2.根据权利要求1所述的基准电压发生装置，其特征在于，

所述第一恒定电流电路具有针对温度的上升而值下降的第一阈值电压，

所述电压生成电路具有针对温度的上升而值下降的第二阈值电压，

基于所述第一阈值电压和所述第二阈值电压而产生的第一基准电压分量在整个工作温度范围中具有负的近似一次系数，

基于所述第二恒定电流和所述第二阈值电压而产生的第二基准电压分量在所述整个工作温度范围中包含的作为高温区域的第二温度范围中具有正的近似一次系数，

所述基准电压是基于所述第一基准电压分量与所述第二基准电压分量之和的电压。

3.一种基准电压发生装置，其特征在于，该基准电压发生装置具备：

第一恒定电流电路，其针对输入电压而输出第一恒定电流；

第二恒定电流电路，其针对所述输入电压而输出第二恒定电流；及

电压生成电路，其生成基于输入电流的电压，

将基于所述第一恒定电流与所述第二恒定电流之和或者差的电流作为所述电压生成电路的所述输入电流，从所述电压生成电路输出基准电压，

所述第一恒定电流电路具有针对温度的上升而值下降的第一阈值电压，

所述电压生成电路具有针对温度的上升而值下降的第二阈值电压，

基于所述第一阈值电压和所述第二阈值电压而产生的第一基准电压分量在整个工作温度范围中具有负的近似一次系数，

基于所述第二恒定电流和所述第二阈值电压而产生的第二基准电压分量在所述整个工作温度范围中包含的作为高温区域的第二温度范围中具有正的近似一次系数，

所述基准电压是基于所述第一基准电压分量与所述第二基准电压分量之和的电压。

4.根据权利要求3所述的基准电压发生装置，其特征在于，

所述第一恒定电流电路具备耗尽型MOS晶体管，该耗尽型MOS晶体管的栅极和源极电连接，该耗尽型MOS晶体管基于从漏极输入的电压而从所述源极输出所述第一恒定电流。

5.根据权利要求3所述的基准电压发生装置，其特征在于，

所述电压生成电路具备第一增强型MOS晶体管，该第一增强型MOS晶体管的栅极和漏极电连接，该第一增强型MOS晶体管将从所述漏极输入的电流作为输入，在所述漏极中生成电压。

6.根据权利要求3所述的基准电压发生装置，其特征在于，

所述第二恒定电流电路是PN结二极管，该PN结二极管基于从阴极输入的电压而从阳极输出所述第二恒定电流。

7.根据权利要求3所述的基准电压发生装置，其特征在于，

所述第二恒定电流电路是第二增强型MOS晶体管，该第二增强型MOS晶体管的栅极和源极连接，该第二增强型MOS晶体管基于从漏极输入的电压而从所述源极输出所述第二恒定电流。