[发明专利]一种同质外延生长氮化铝单晶的坩埚装置在审
| 申请号： | 201810269548.4 | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN108396375A | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 吴亮;贺广东;雷丹;黄嘉丽;王智昊;王琦琨;龚加玮;黄毅 | 申请（专利权）人： | 苏州奥趋光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫;刘鑫 |
| 地址： | 215699 江苏省苏州市张家港市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化铝 籽晶 坩埚本体 氮化铝单晶 坩埚装置 同质外延生长 导流罩 坩埚 固定机构 径向收缩 外延生长 粘接剂层 籽晶表面 倒置 生长区 原料区 坩埚盖 传质 粘接 生长 污染 优化 | ||
1.一种同质外延生长氮化铝单晶的坩埚装置，其特征在于：包括底部用于放置氮化铝籽晶的坩埚本体、设于所述坩埚本体顶部的坩埚盖、设于所述坩埚本体中的用于将氮化铝原料固定在所述氮化铝籽晶上方的固定机构，所述坩埚装置还包括设于所述氮化铝原料和所述氮化铝籽晶之间的导流罩，所述导流罩，沿靠近所述氮化铝籽晶的方向向下逐渐径向收缩。
2.根据权利要求1所述的一种同质外延生长氮化铝单晶的坩埚装置，其特征在于：所述固定机构包括粘接剂，所述氮化铝原料通过所述粘接剂粘合在所述坩埚盖的下表面。
3.根据权利要求1或2所述的一种同质外延生长氮化铝单晶的坩埚装置，其特征在于：所述固定机构包括隔离网，所述氮化铝原料放置在所述隔离网上，所述坩埚本体内设有用于放置所述隔离网的第一台阶。
4.根据权利要求3所述的一种同质外延生长氮化铝单晶的坩埚装置，其特征在于：所述隔离网的孔径为0.5-10mm，所述隔离网的厚度为0.1-5mm。
5.根据权利要求1所述的一种同质外延生长氮化铝单晶的坩埚装置，其特征在于：所述坩埚本体内设有位于所述第一台阶下方的第二台阶，所述导流罩的上端沿其周向设有用于放置在所述第二台阶上的延伸部。
6.根据权利要求1所述的一种同质外延生长氮化铝单晶的坩埚装置，其特征在于：所述导流罩呈锥角向下的锥形。
7.根据权利要求6所述的一种同质外延生长氮化铝单晶的坩埚装置，其特征在于：所述导流罩与所述坩埚本体同轴心线分布，所述氮化铝籽晶位于所述导流罩的轴心线上。
8.根据权利要求1所述的一种同质外延生长氮化铝单晶的坩埚装置，其特征在于：所述坩埚盖套设于所述坩埚本体上，所述坩埚盖的内侧周部与所述坩埚本体的外侧周部之间的距离为0.01-1mm。
9.根据权利要求1所述的一种同质外延生长氮化铝单晶的坩埚装置，其特征在于：所述导流罩的厚度为0.1-3mm。
10.根据权利要求1所述的一种同质外延生长氮化铝单晶的坩埚装置，其特征在于：所述导流罩的底部与所述氮化铝籽晶上表面之间的距离为0-50mm。
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