[发明专利]硫酸铜、其制造方法及其溶液、镀敷液、半导体电路基板的制造方法及电子机器的制造方法在审
| 申请号： | 201810269118.2 | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN108689426A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 永浦友太;石井雅史 | 申请（专利权）人： | JX金属株式会社 |
| 主分类号： | C01G3/10 | 分类号： | C01G3/10;C25D3/38;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;李兵霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硫酸铜 制造 半导体电路基板 电子机器 镀敷液 硫酸铜溶液 | ||
1.一种硫酸铜，其Fe浓度为0.08质量ppm以下。
2.根据权利要求1所述的硫酸铜，其Fe浓度为0.05质量ppm以下。
3.根据权利要求1或2所述的硫酸铜，其满足以下的(3-1)～(3-5)中的任一个、两个、三个、四个或五个：
(3-1)In浓度为1.0质量ppm以下、
(3-2)Tl浓度为0.05质量ppm以下、
(3-3)Sn浓度为1.0质量ppm以下、
(3-4)Ag浓度为1.0质量ppm以下、
(3-5)Al浓度为0.2质量ppm以下。
4.根据权利要求1或2所述的硫酸铜，其满足以下的(4-1)～(4-5)中的任一个、两个、三个、四个或五个：
(4-1)In浓度为0.5质量ppm以下、
(4-2)Tl浓度为0.05质量ppm以下、
(4-3)Sn浓度为0.5质量ppm以下、
(4-4)Ag浓度为0.8质量ppm以下、
(4-5)Al浓度为0.15质量ppm以下。
5.根据权利要求1或2所述的硫酸铜，其满足以下的(5-1)～(5-5)中的任一个、两个、三个、四个或五个：
(5-1)In浓度为0.2质量ppm以下、
(5-2)Tl浓度为0.05质量ppm以下、
(5-3)Sn浓度为0.2质量ppm以下、
(5-4)Ag浓度为0.3质量ppm以下、
(5-5)Al浓度为0.1质量ppm以下。
6.根据权利要求1或2所述的硫酸铜，其满足以下的(6-1)～(6-5)中的任一个、两个、三个、四个或五个：
(6-1)In浓度为0.2质量ppm以下、
(6-2)Tl浓度为0.05质量ppm以下、
(6-3)Sn浓度为0.2质量ppm以下、
(6-4)Ag浓度为0.05质量ppm以下、
(6-5)Al浓度为0.09质量ppm以下。
7.根据权利要求1或2所述的硫酸铜，其满足以下的(7-1)～(7-5)中的任一个、两个、三个、四个或五个：
(7-1)In浓度为0.2质量ppm以下、
(7-2)Tl浓度为0.05质量ppm以下、
(7-3)Sn浓度为0.2质量ppm以下、
(7-4)Ag浓度为0.045质量ppm以下、
(7-5)Al浓度为0.05质量ppm以下。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的硫酸铜，其中，硫酸铜的浓度为99.9质量％以上且99.999质量％以下。
9.根据权利要求8所述的硫酸铜，其中，硫酸铜的浓度为99.995质量％以下。
10.根据权利要求1至7中任一项所述的硫酸铜，其中，硫酸铜的浓度为99.9质量％以上且99.992质量％以下。
11.根据权利要求1至7中任一项所述的硫酸铜，其中，硫酸铜的浓度为99.9质量％以上且99.99质量％以下。
12.根据权利要求1至7中任一项所述的硫酸铜，其中，硫酸铜的浓度为99.9质量％以上且99.99质量％以下，Cu以外的金属杂质的合计浓度为30质量ppm以下。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的硫酸铜，其总有机碳浓度为10质量ppm以下。
14.一种硫酸铜溶液，其是使用权利要求1至13中任一项所述的硫酸铜进行液状化所得。
15.一种硫酸铜溶液，其Fe浓度为0.019质量ppm以下。
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