[发明专利]一种电控GaAs/AlGaAs半导体量子点势阱的方法有效
申请号: | 201810265693.5 | 申请日: | 2018-03-28 |
公开(公告)号: | CN108428627B | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 曹刚;陈明博;王保传;李海欧;郭光灿;郭国平 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | H01L21/18 | 分类号: | H01L21/18;H01L29/205 |
代理公司: | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人: | 郑立明;郑哲 |
地址: | 230026 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 gaas algaas 半导体 量子 势阱 方法 | ||
1.一种电控GaAs/AlGaAs半导体量子点势阱的方法,其特征在于,包括:
通过控制电极电压,将GaAs/AlGaAs异质结中的二维电子气形成量子点区域;针对量子点对称性和势阱形状的需求,在量子点区域上方,将电控势阱金属电极制备为与量子点区域大小在同一数量级的不同形状;
使用半导体加工中的图形转移方法,将电控势阱金属电极制备到GaAs/AlGaAs异质结栅极电控量子点样品上;
对于制备好的GaAs/AlGaAs异质结栅极电控量子点样品;如果为n型掺杂的半导体量子点样品,则在电控势阱金属电极上施加正电压来吸附电子;如果为p型掺杂的半导体量子点样品,则在金属电极上施加负电压来吸附空穴,从而产生不同种类的量子点。
2.根据权利要求1所述的一种电控GaAs/AlGaAs半导体量子点势阱的方法,其特征在于,电控势阱金属电极形状决定了势阱的形状,从而决定了量子点的形状;若要使得量子点具有对称性,则制备为直径为K的圆形;若要使能级形状发生改变,则制备成长轴为N,短轴为M的椭圆形。
3.根据权利要求1所述的一种电控GaAs/AlGaAs半导体量子点势阱的方法,其特征在于,所述半导体加工中的图形转移方法为如下方法中的任一种:电子束曝光、金属蒸镀与金属剥离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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