[发明专利]阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、提供基板(10)，在所述基板(10)上依次形成第一金属层(20)、绝缘层(30)、半导体层(40)、金属材料层(50)及光阻层(70)；

步骤S2、利用一光罩对光阻层(70)进行曝光显影，形成光阻图案(60)；所述光阻图案(60)包括多条平行且间隔的第一光阻条(61)及将多条第一光阻条(61)连接的第二光阻条(62)；所述第一光阻条(61)的厚度大于第二光阻条(62)的厚度；

步骤S3、以光阻图案(60)为遮挡对金属材料层(50)进行湿蚀刻，对应第一光阻条(61)形成数据线(51)，对应第二光阻条(62)形成连接线(52)；

步骤S4、对光阻图案(60)及半导体层(40)进行干蚀刻，去除半导体层(40)中未被光阻图案(60)覆盖的部分并灰化所述光阻图案(60)，使第一光阻条(61)的厚度减薄并去除第二光阻条(62)；

步骤S5、以经过灰化的光阻图案(60)为遮挡对经过湿蚀刻的金属材料层(50)再次进行湿蚀刻，去除所述连接线(52)；

任意两条相邻的第一光阻条(61)的相邻的端部经一条第二光阻条(62)连接在一起。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一金属层(20)包括多条平行且间隔的扫描线(21)及阵列排布的多个栅极(22)；一行栅极(22)对应连接一条扫描线(21)。

3.如权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S3形成的多条数据线(51)与多条扫描线(21)互相垂直交叉。

4.如权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述光阻图案(60)还包括对应设于多个栅极(22)上方的多个光阻块(63)；所述光阻块(63)包括位于两端的第一部分(631)及位于第一部分(631)之间的第二部分(632)，第一部分(631)的厚度大于第二部分(632)的厚度；位于一列栅极(22)上方的光阻块(63)的一端对应与一条第一光阻条(61)连接；

所述步骤S3以光阻图案(60)为遮挡对金属材料层(50)进行湿蚀刻后，对应光阻块(63)形成金属块(53)；

所述步骤S4对光阻图案(60)进行灰化后，所述光阻块(63)的第一部分(631)的厚度被减薄，所述光阻块(63)的第二部分(632)被去除；

所述步骤S5以经过灰化的光阻图案(60)为遮挡对经过湿蚀刻的金属材料层(50)再次进行湿蚀刻后，所述金属块(53)未被所述光阻块(63)的第一部分(631)覆盖的部分被去除，形成间隔的源漏极(54)。

5.如权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述半导体层(40)包括第一半导体层(41)及设于第一半导体层(41)上的第二半导体层(42)，所述第二半导体层(42)为经过离子掺杂的半导体材料层；

所述阵列基板的制作方法还包括步骤S6、以经过灰化的光阻图案(60)为遮挡对经过干蚀刻的半导体层(40)再次进行干蚀刻，去除所述第二半导体层(42)未被光阻块(63)的第一部分(631)遮挡的部分。

6.如权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S6之后还包括对灰化后的光阻图案(60)进行去除的步骤。

7.如权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一光阻条(61)的厚度等于光阻块(63)的第一部分(631)的厚度，所述第二光阻条(62)的厚度等于光阻块(63)的第二部分(632)的厚度。

8.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述光罩为半色调光罩或灰阶光罩。

9.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板应用于液晶显示装置或有机发光二极管显示装置。