[发明专利]一种ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜的制备方法，具有如下步骤：

(1)将ST即SrTiO₃靶材和Ag靶材装入磁控溅射腔体内；

(2)先后用无水乙醇和去离子水超声清洗衬底30分钟，并用氮气吹干，放入磁控溅射腔体中；所述衬底为石英、玻璃、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸或者聚萘二甲酸乙二醇酯的透明衬底；

(3)再将磁控溅射系统的本底真空度抽至3.0×10^-3Pa以下，使用氩气和氧气混合作为溅射气体溅射SrTiO₃层，氧气与氩气体积比为0～1:1～2，溅射总气压为0.3～15Pa，靶材与衬底的距离为40～120mm，溅射功率为30～180W，进行沉积得到SrTiO₃薄膜层，SrTiO₃薄膜层的厚度为10～200nm；

(4)步骤(3)完成后，开始溅射Ag薄膜层，将真空度抽至3.0×10^-4Pa，然后通入0.3～15Pa的氩气，靶材与衬底的距离为4-12cm，溅射功率20～200W，沉积得到Ag薄膜层，Ag薄膜层的厚度为3～20nm；

(5)步骤(4)完成后，重复步骤(3)，将磁控溅射系统的本底真空度抽至3.0×10^-3Pa以下，使用氩气和氧气混合作为溅射气体溅射SrTiO₃层，氧气与氩气体积比为0～1:1～2，溅射总气压为0.3～15Pa，溅射功率为30～180W，靶材与衬底的距离为4-12cm，进行沉积得到SrTiO₃薄膜层，SrTiO₃薄膜层的厚度为10～200nm，制得ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜的制备方法，其特征在于,所述步骤(1)的SrTiO₃和Ag靶材可以为任意市售或者按常规方法自制靶材，SrTiO₃靶材中SrTiO₃的纯度为98-99.999％，Ag靶材中Ag的纯度为99-99.9999％。

3.根据权利要求1所述的一种ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜的制备方法，其特征在于,所述步骤(2)的氮气纯度为99.99％。

4.根据权利要求1所述的一种ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜的制备方法，其特征在于,所述步骤(3)、(4)或(5)的Ar和O₂气的纯度在99.99％以上。

5.根据权利要求1所述的一种ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜的制备方法，其特征在于,所述步骤(3)、(4)或(5)的薄膜层的厚度通过调节制备工艺参数或沉积时间来控制。

6.根据权利要求1所述的一种ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜的制备方法，其特征在于,所述步骤(3)、步骤(5)的SrTiO₃薄膜层的厚度为20～60nm。

7.根据权利要求1所述的一种ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜的制备方法，其特征在于,所述步骤(4)的Ag薄膜层厚度为7～13nm。