[发明专利]离子布植的方法

权利要求书

1.一种使用多重几何方向将离子布植至一芯片的方法，包含:

获得一内建参数；

决定一曝光计数；

获得一第一布值参数集合；

产生一多重几何方向布值曝光序列，其是根据该曝光计数、该内建参数与该第一布植参数集合，在此该多重几何方向布值曝光序列包含多数个曝光步骤；以及

布植离子至该芯片，其是根据该多重几何方向布值曝光序列；

在此，每一个该曝光步骤指定用以布植离子的一离子束的一剂量百分比、一晶圆角度与一晶圆方向。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该内建参数包含在该离子布植被使用的一离子种类、该离子束的一能量、一总剂量以及一内建晶圆方向。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，该第一布植参数集合包含该晶圆的一标靶温度和一剂量比例。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一布植参数集合是取用自一存储器。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一布植参数集合是根据一用户输入被指定。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，当布植离子的步骤是被执行在一连续步骤，该布植离子步骤更包含:

在每个曝光步骤之间执行该剂量百分比、该晶圆角度和该晶圆方向的一内插；以及

根据该内插布植离子。

7.一种使用多重几何方向将离子布植至一芯片的方法，包含:

获得一内建参数；

决定一曝光计数；

获得一第一布值参数集合；

决定一方向模式，在此该方向模式包含一第一晶圆方向和一第二晶圆方向；

产生一多重几何方向布值曝光序列，其是根据该曝光计数、该内建参数、该第一布植参数集合与该方向模式，在此该多重几何方向布值曝光序列包含对应到该第一晶圆方向的第一多数曝光步骤的一第一阵列以及对应到该第二晶圆方向的第二多数曝光步骤的一第二阵列；以及

布植离子至该芯片，其是根据该多重几何方向布值曝光序列；

在此，每一个该曝光步骤指定用以布植离子的一离子束的一剂量百分比、一晶圆角度与该晶圆方向。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，该内建参数包含在该离子布植被使用的一离子种类、该离子束的一能量、一总剂量以及一内建晶圆方向。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，该第一布植参数集合包含该晶圆的一标靶温度和一剂量比例。

10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，该第一布植参数集合是取用自一存储器。

11.如权利要求7所述的方法，其特征在于，该第一布植参数集合是根据一用户输入被指定。

12.如权利要求7所述的方法，其特征在于，当布植离子的该步骤是被执行在一连续模式，该布植离子步骤更包含:

在每个曝光步骤之间执行该剂量百分比、该晶圆角度和该晶圆方向的一内插；以及

根据该内插布植离子。

13.如权利要求7所述的方法，其特征在于，当该方向模式包含一双重模式，该第一晶圆方和该第二晶圆方向是借由该晶圆的一第一转动而不同，而且该第一多数曝光步骤和该第二多数曝光步骤指定剂量百分比与晶圆角度的一相同序列。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，该晶圆的该第一转动包含转动该晶圆方向180度。