[发明专利]一种带抗静电膜的液晶面板及抗静电膜的制备方法

权利要求书

1.一种带抗静电膜的液晶面板，其特征在于：包括面板本体（1）和抗静电复合膜（2），所述的抗静电复合膜（2）位于面板本体（1）上；所述的抗静电复合膜（2）包括增透膜层（21）和抗静电膜层（22），所述的增透膜层（21）位于液晶面板上，所述的抗静电膜层（22）位于增透膜层（21）上；所述的增透膜层（21）的材料为氮氧化硅，所述的抗静电膜层（22）的材料为三氧化二锑和二氧化锡复合材料。

2.根据权利要求1所述的带抗静电膜的液晶面板，其特征在于：所述的抗静电膜层（22）的材料按质量计为5%~40%的三氧化二锑和60%~95%的二氧化锡组成的符合材料。

3.根据权利要求1所述的带抗静电膜的液晶面板，其特征在于：所述的增透膜层（21）的厚度在10nm~50nm之间，所述的抗静电膜层（22）厚度在8nm~30nm之间。

4.根据权利要求1所述的带抗静电膜的液晶面板，其特征在于：所述的面板本体（1）包括上基板玻璃（11）、滤光片（12）、像素阵列（13）、边框（14）、下基板玻璃（15）和液晶材料（16），所述的滤光片（12）位于上基板玻璃（11）的内侧，所述的像素阵列（13）位于下基板玻璃（15）的内侧，所述的边框（14）围设在上基板玻璃（11）和下基板玻璃（15）之间空间的边缘，所述的液晶材料（16）填充在在上基板玻璃（11）和下基板玻璃（15）之间的空间。

5.根据权利要求4所述的带抗静电膜的液晶面板，其特征在于：所述的像素阵列（13）所在位置还设置有触控单元。

6.根据权利要求5所述的带抗静电膜的液晶面板，其特征在于：所述的上基板玻璃（11）和下基板玻璃（15）均为薄化基板玻璃，厚度均为0.1mm~0.4mm之间值。

7.一种权利要求1~6中液晶面板上抗静电膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、液晶面板表面清洁处理；

S2、在液晶面板表面通过溅射镀膜的方式镀氮氧化硅膜层；

S3、在氮氧化硅膜层表面通过溅射镀膜的方式镀金属氧化物膜层，金属氧化物为三氧化二锑与二氧化锡组成的复合材料。

8.根据权利要求7所述的液晶面板上抗静电膜的制备方法，其特征在于：所述的符合材料按质量百分比计，包括5%~40%的三氧化二锑和60%~95%的二氧化锡。

9.根据权利要求7所述的液晶面板上抗静电膜的制备方法，其特征在于：步骤S2和S3中溅射镀膜时的真空度为5×10^-3~5×10^-4Pa，溅射镀膜时的温度为30℃~130℃。