[发明专利]一种双C结构SIW传输线

说明书

本发明涉及微波、传输线技术，具体涉及一种双C结构SIW传输线，具有高Q、低损、低泄露的特性。本发明将传统SIW传输线的各排金属圆柱替换为上下两排互相交错的片状圆弧金属片，各片状圆弧金属片相同，圆弧的内半径为D，单排相邻片状圆弧金属片的最短距离为d，圆弧两端间的最小距离为f，上下两排交错的片状圆弧金属片间的最短距离为w，其中0＜d＜D，d＜f，0＜w≤d。本发明通过采用双C结构替换传统SIW中的金属圆柱，在保证无TM模式下，克服了在传输过程中，传统SIW结构的两排金属圆柱使电磁波泄露出去，导致行波关状态不理想，降低行腔Q值，增加电磁波的向外辐射大的技术问题。

技术领域

本发明涉及微波、传输线技术，具体涉及一种双C结构SIW传输线，具有高Q、低损、低泄露的特性。

背景技术

从Maxwell方程组问世，短短的一百多年里，电磁学在工程中的应用技术有了突飞猛进的发展。从金属波导到平面集成化的微带线，微波技术行业经历着一个又一个里程碑。金属波导体积庞大已经不再适应当今社会微波集成化的要求，微带电路体积小、成本低、易于集成，但是微带电路自身的开放结构限制了其品质因数和功率容量。

基片集成波导(SIW)是近些年来提出的新型导波结构，是在上下表面覆盖两层金属层的介质基片上设置两排互相平行的金属圆柱，两排金属圆柱的平行边平行于传播方向。SIW结构的具体实现形式是在介质基片上下表面覆盖两层金属层，并在介质两边采用两排排列整齐的金属圆柱阵列模拟形成了SIW结构的侧壁，此时渡满金属的上下表面和两排金属圆柱阵列就形成了SIW结构。SIW和介质填充的矩形波导在传输特性上相类似(即高通传输特性)，并具备低成本、低辐射、低插损、高品质因素、小型化和易于集成等优势。但是，在传输过程中，SIW结构中的两排金属圆柱会使电磁波泄露出去，行波关状态不理想，降低行腔Q值，增加了电磁波的向外辐射。

发明内容

针对上述存在的问题和不足，为减小SIW传输线的泄露和损耗，本发明提供了一种双C结构SIW传输线。

该双C结构SIW传输线将传统SIW传输线的各排金属圆柱替换为上下两排互相交错的片状圆弧金属片，各片状圆弧金属片相同，圆弧的内半径为D，单排相邻片状圆弧金属片的最短距离为d，圆弧两端间的最小距离为f，上下两排交错的片状圆弧金属片间的最短距离为w，其中0＜d＜D，d＜f，0＜w≤d。

本发明通过采用双C结构(互相交错的片状圆弧金属片)替换传统SIW中的金属圆柱，以克服在传输过程中，传统SIW结构的两排金属圆柱使电磁波泄露出去，导致行波关状态不理想，降低行腔Q值，增加电磁波的向外辐射的技术问题。

综上所述，本发明的双C结构SIW传输线，行腔Q值高，损耗低，电磁波向外辐射小。

附图说明

图1为实施例选用的传统SIW传输线结构示意图。

图2为实施例选用的传统SIW传输线的S12参数仿真图。

图3为实施例选用的传统SIW传输线的Q值仿真结果。

图4为实施例的双C结构的SIW传输线结构示意图。

图5为实施例的双C结构的SIW传输线俯视图。

图6为实施例的双C结构的SIW传输线的高次模分析。

图7为实施例的双C结构的SIW传输线S12参数仿真图。

图8为实施例的双C结构的SIW传输线的Q值仿真结果。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，详述本发明的技术方案。