[发明专利]半导体装置封装及制造半导体装置封装的方法在审
| 申请号： | 201810262362.6 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN109841582A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 陈灿贤;胡逸群;杨金凤;陈世伟;许惠珍 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子组件 散热器 热传导结构 接合线 衬底 半导体装置 安置 聚合物层 热传导层 密封剂 封装 半导体封装装置 传导层 覆盖 制造 | ||
1.一种半导体封装装置，其包括：
衬底；
电子组件，其安置于所述衬底上；
接合线，其将所述电子组件连接到所述衬底；
散热器，其安置于所述电子组件之上；以及
热传导结构，其安置于所述散热器与所述电子组件之间，所述热传导结构包括：
两个聚合物层；及
热传导层，其安置于所述两个聚合物层之间，所述热传导层具有与所述电子组件接触的第一末端及与所述散热器接触的第二末端；及
密封剂，其覆盖所述接合线。
2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述热传导层具有被所述两个聚合物层包围且与所述两个聚合物层接触的侧壁，且所述第一末端或所述第二末端的热导率大于所述侧壁的热导率。
3.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述密封剂暴露所述电子组件的一部分，且所述热传导结构安置于从所述密封剂暴露的所述电子组件的所述部分上。
4.根据权利要求3所述的半导体封装装置，其中所述密封剂与所述热传导结构隔开。
5.根据权利要求3所述的半导体封装装置，其中所述密封剂的一部分与所述热传导结构接触。
6.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述电子组件具有面朝向所述热传导结构的有源表面。
7.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述密封剂与所述散热器隔开。
8.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述热传导层包含石墨烯。
9.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述聚合物层包含硅酮材料。
10.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述密封剂包含环氧树脂。
11.一种半导体封装装置，其包括：
衬底；
电子组件，其安置于所述衬底上；
接合线，其将所述电子组件连接到所述衬底；
热传导结构，其安置于所述电子组件上；
散热器，其安置于所述热传导结构上且与所述热传导结构接触；以及
密封剂，其覆盖所述接合线且与所述散热器隔开。
12.根据权利要求11所述的半导体封装装置，其中所述热传导结构包括：
两个聚合物层；及
热传导层，其安置于所述两个聚合物层之间，所述热传导层具有与所述电子组件接触的第一末端及与所述散热器接触的第二末端。
13.根据权利要求12所述的半导体封装装置，其中所述热传导层具有被所述两个聚合物层包围且与所述两个聚合物层接触的侧壁，且所述第一末端或所述第二末端的热导率大于所述侧壁的热导率。
14.根据权利要求11所述的半导体封装装置，其中所述密封剂暴露所述电子组件的一部分，且所述热传导结构安置于所述电子组件的所述经暴露部分上。
15.根据权利要求14所述的半导体封装装置，其中所述密封剂与所述热传导结构隔开。
16.根据权利要求14所述的半导体封装装置，其中所述密封剂的一部分与所述热传导结构接触。
17.根据权利要求11所述的半导体封装装置，其中所述电子组件具有面朝向所述热传导结构的有源表面。
18.根据权利要求11所述的半导体封装装置，其中所述热传导层包含石墨烯。
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