[发明专利]一种获取ICI影响因子及提升纠错能力的方法在审
| 申请号： | 201810258934.3 | 申请日： | 2018-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN108563533A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 胡颖颖 | 申请（专利权）人： | 深圳忆联信息系统有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10;G11C29/42;G11C16/34 |
| 代理公司： | 广东广和律师事务所 44298 | 代理人： | 董红海 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 影响因子 纠错能力 干扰存储单元 读取存储单元 相邻存储单元 存储单元 使用寿命 阈值电压 串扰 交叠 细化 叠加 应用 写入 存储 试验 | ||
1.一种获取ICI影响因子的方法，其特征在于根据试验预先获得相邻的干扰存储单元存储不同数据对存储单元Cell影响程度，通过读取存储单元Cell的干扰存储单元实际写入的数据，分别获得各个干扰存储单元的子影响因子，最后进行叠加获得最终的ICI影响因子。
2.根据权利要求1所述的获取ICI影响因子的方法，其特征在于仅选取对存储单元Cell影响最大的两个相邻的存储单元作为干扰存储单元，仅读取选出的两个干扰存储单元实际写入的数据，并获得两个子影响因子，将这两个子影响因子进行叠加后获得最终的ICI影响因子。
3.根据权利要求2所述的获取ICI影响因子的方法，其特征在于干扰存储单元存储的数据对存储单元Cell的影响按“10”>“00”>“01”>“11”从大到小进行分布；存储单元Cell[WLi，BLj]的ICI影响因子选择Cell[WLi-1，BLj]和Cell[WLi+1，BLj]两个存储单元作为干扰存储单元。
4.一种提升纠错能力的方法，其特征在根据ICI影响因子计算LDPC算法中的可靠度LLR(Log Likelihood Ratio)及LUT表，利用LLR和LUT表进行迭代纠错；所述获取ICI影响因子根据如下方法获得，在于根据试验预先获得相邻的干扰存储单元存储不同数据对存储单元Cell影响程度，通过读取存储单元Cell的干扰存储单元实际写入的数据，分别获得各个干扰存储单元的子影响因子，最后进行叠加获得最终的ICI影响因子。
5.根据权利要求4所述的提升纠错能力的方法，其特征在于仅选取对存储单元Cell影响最大的两个相邻的存储单元作为干扰存储单元，仅读取选出的两个干扰存储单元实际写入的数据，并获得两个子影响因子，将这两个子影响因子进行叠加后获得最终的ICI影响因子。
6.根据权利要求5所述的提升纠错能力的方法，其特征在于Nand Flash为MLC类型，干扰存储单元存储的数据对存储单元Cell的影响按“10”>“00”>“01”>“11”从大到小进行分布；存储单元Cell[WLi，BLj]的ICI影响因子选择Cell[WLi-1，BLj]和Cell[WLi+1，BLj]两个存储单元作为干扰存储单元。
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