[发明专利]一种三材料异质栅结构的黑磷场效应管

权利要求书

1.一种三材料异质栅结构的黑磷场效应管，其特征在于，包括：导电沟道（1）、源区（2）、漏区（3）、栅极氧化层（4）、源极（5）、漏极（6）、栅极（7）；所述的导电沟道（1）、源区（2）和漏区（3）采用一本征半导体黑磷，导电沟道（1）位于源区（2）和漏区（3）之间，对本征半导体黑磷的两端采用分子或金属离子进行重掺杂后，分别作为源区（2）、漏区（3）；在所述的导电沟道（1）、源区（2）和漏区（3）外，生成一层栅极氧化层（4），在栅极氧化层（4）外再沉淀一层金属电极，作为栅极（7），所述的栅极（7）采用三种不同功函数的导电金属制作，形成三材料异质栅结构的黑磷场效应管的异质栅；在位于源区（2）和漏区（3）之上的栅极氧化层（4）上分别刻蚀一源极引线孔和漏极引线孔，在该源极引线孔内制备源极（5），在漏极引线孔内制备漏极（6）。

2.根据权利要求1所述的三材料异质栅结构的黑磷场效应管，其特征在于，栅极（7）三种材料的部分横向长度相等，均为栅极（7）横向长度的1/3。

3.根据权利要求2所述的三材料异质栅结构的黑磷场效应管，其特征在于，栅极（7）的三种材料的功函数分配规则从源区（2）侧向漏区（3）侧逐步减小。

4.根据权利要求2所述的三材料异质栅结构的黑磷场效应管，其特征在于，栅极（7）的三种材料的功函数分配规则为中间材料功函数最大，靠漏区（3）一侧功函数最小。

5.根据权利要求1所述的三材料异质栅结构的黑磷场效应管，其特征在于，源区（2）和漏区（3）同为N型重掺杂或P型重掺杂。

6.根据权利要求1所述的三材料异质栅结构的黑磷场效应管，其特征在于，在所述的导电沟道（1）、源区（2）和漏区（3）外，采用原子沉积方法生成一层栅极氧化层（4）。