[发明专利]减少校准和调谐期间的检测器耗损有效
申请号: | 201810257300.6 | 申请日: | 2018-03-27 |
公开(公告)号: | CN108666199B | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | G·B·古肯博格;S·T·夸姆比;J·G·沃斯;M·B·杨 | 申请(专利权)人: | 萨默费尼根有限公司 |
主分类号: | H01J49/00 | 分类号: | H01J49/00;H01J49/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈洁;姬利永 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 减少 校准 调谐 期间 检测器 耗损 | ||
1.一种对质谱仪进行质量校准的方法,包括:
电离离子源中包含一种或多种校准物种的校准混合物,从而产生第一离子物种和第二离子物种;
跨越质量范围扫描四极;
对于所述质量范围的第一部分,使用检测器的第一增益设置来检测第一离子物种;
对于所述质量范围的第二部分,使用所述检测器的第二增益设置来检测第二离子物种;以及
使用所述检测到的第一离子物种和第二离子物种来校准所述质谱仪的所述四极的质量范围。
2.根据权利要求1所述的方法,进一步包括通过样品入口将所述校准混合物供应到电离腔室中,并加快电子沿着源轴从电子发射体通过所述电离腔室。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一离子物种具有高于所述第二离子物种的丰度,且所述第一增益设置低于所述第二增益设置,从而避免所述检测器在检测所述第一离子物种期间过饱和。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述第二离子物种是低丰度离子物种,且所述第二增益设置高于所述第一增益设置,从而确保有足够的信号来检测所述第二离子物种。
5.一种质谱仪,包括:
离子源,包括:
主体,包括在第一末端处的电离腔室、到所述电离腔室中的样品入口以及在第二末端处的后电离体积,所述主体在沿着从所述第一末端到所述第二末端的源轴方向上具有长度;和
电子源,定位在所述第一末端处,所述电子源包含电子发射体且被配置成用于加快电子束通过所述电离腔室;
离子光学元件,被配置成沿着离子路径导引离子;
四极,被配置成基于所述离子的质荷比而将离子分离;
检测器;以及
系统控制器,其特征在于,所述系统控制器被配置成:
跨越质量范围扫描所述四极;
在所述四极的质量校准期间、基于所述离子的相对丰度应用离子特定的检测器增益,从而针对高丰度离子避免所述检测器过饱和且针对低丰度离子获得足够信号。
6.根据权利要求5所述的质谱仪,其中加快所述电子束沿着所述源轴通过所述电离腔室。
7.根据权利要求5所述的质谱仪,其中所述电子发射体是热离子长丝或场发射体。
8.根据权利要求5所述的质谱仪,其中通过电离包含一种或多种校准物种的校准混合物来产生所述高丰度离子和所述低丰度离子。
9.根据权利要求5所述的质谱仪,其中所述系统控制器被进一步配置成减少检测器增益校准期间的发射电流,使得单个离子事件支配所述信号或泊松统计学支配均方根偏差。
10.根据权利要求9所述的质谱仪,其中所述系统控制器被配置成通过减少供应给所述电子源的电流来减少所述发射电流。
11.一种对质谱仪进行质量校准的方法,包括:
电离包含一种或多种校准物种的校准混合物,从而产生高丰度离子和低丰度离子;
跨越质量范围扫描四极;
在所述四极的质量校准期间、基于所述高丰度离子和所述低丰度离子的相对丰度应用离子特定的增益,从而针对所述高丰度离子避免所述质谱仪的检测器过饱和且针对所述低丰度离子获得足够信号。
12.根据权利要求11所述的方法,进一步包括运用减小的发射电流来执行检测器增益校准,使得单个离子事件支配所述信号或泊松统计学支配均方根偏差。
13.根据权利要求12所述的方法,其中通过减少供应给电子源的电流来减小所述发射电流。
14.根据权利要求13所述的方法,其中所述电子源是热离子长丝或场发射体。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于萨默费尼根有限公司,未经萨默费尼根有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810257300.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种半导体芯片生产工艺
- 下一篇:用于电子电离离子源的系统和方法