[发明专利]一种具有优异热电性能的高规整度聚噻吩薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种制备聚噻吩薄膜的方法，包括如下步骤：

以噻吩单体、质子清除剂和电解液为原料，利用恒电流法制备得到所述聚噻吩薄膜；

所述质子清除剂为2,6-二叔丁基吡啶；

所述电解液为三氟化硼的乙醚溶液；

所用工作电极和对电极为导电金属片或不锈钢片；

所用参比电极为Ag/AgCl电极；

所述单体、质子清除剂和电解液的体积用量比为1：2.5-3：200-300mL；

所述恒电流法中，电流密度为0.25 mA cm^-2-2mA cm^-2；

时间为20-30分钟。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述单体、质子清除剂和电解液的体积用量比为1：2.9：250。

3. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述恒电流法中，电流密度为1mA cm^-2；

时间为20-30分钟。

4.根据权利要求1-3中任一所述的方法，其特征在于：所述噻吩单体和组成电解液的化合物均进行除水氧处理。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述除水氧处理的方法为重蒸。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：重蒸噻吩单体的方法为在氢化钙存在的条件下常压除水；

重蒸组成电解液的化合物的方法包括在氢化钙存在的条件下减压蒸馏。

7.权利要求1-6中任一所述方法制备得到的聚噻吩薄膜。

8. 根据权利要求7所述的聚噻吩薄膜，其特征在于：在1 mA cm^-2电流密度条件下，所述聚噻吩薄膜的功率因子为98.8±4.7 μW m^-1 K^-2；ZT值为0.09±0.01；电导率最高值为700S cm^-1；Seebeck系数为36 μV K^-1；热导率为0.33 W m^-1 K^-1；

所述聚噻吩薄膜的厚度为8-10μm。

9.权利要求7或8所述聚噻吩薄膜在制备热电器件中的应用。

10.根据权利要求9所述的应用，其特征在于：所述热电器件为柔性热电器件。