[发明专利]一种Si IGBT和SiC MOSFET的混合电力电子模块

权利要求书

1.一种Si IGBT和SiC MOSFET的混合电力电子模块，其特征在于：所述的混合电力电子模块是一种单相桥式模块，由上、下两个桥臂组成，每个桥臂由2个型号相同的Si IGBT芯片、1个SiC MOSFET芯片和1个Si二极管芯片并联组成。

2.根据权利要求1所述的Si IGBT和SiC MOSFET的混合电力电子模块，其特征在于：所述混合电力电子模块中的上桥臂IGBT的集电极、MOSFET的漏极和二极管的阴极连接在一起，并与所述混合电力电子模块的阳极功率端子相连；IGBT的发射极、MOSFET的源极和二极管的阳极连接在一起，并与所述混合电力电子模块的中性点端子相连；下桥臂结构与上桥臂对称，下桥臂的IGBT集电极、MOSFET漏极与二极管阴极连接在一起，并与所述混合电力电子模块的中性点相连，IGBT的发射极、MOSFET的源极和二极管的阳极连接在一起，并与所述混合电力电子模块的阴极功率端子相连。

3.根据权利要求1所述的Si IGBT和SiC MOSFET的混合电力电子模块，其特征在于：所述的混合电力电子模块包含6个信号端子和3个功率端子；所述的3个功率端子分别位于模块的两侧，其中阳极功率端子和阴极功率端子位于模块的右侧，中性点端子位于模块的左侧；所述的6个信号端子分别为上桥臂IGBT门极信号端子(1)、上桥臂MOSFET门极信号端子(2)、上桥臂驱动信号公共端子、下桥臂IGBT门极信号端子(1’)、MOSFET门极信号端子(2’)和下桥臂驱动信号公共端子；其中上桥臂的3个信号端子位于中性点功率端子的后侧，下桥臂的3个信号端子位于中性点功率端子的前侧。