[发明专利]集成电路装置

权利要求书

1.一种集成电路装置，其特征在于，包括：

第一鳍有源区，从衬底突出并在与所述衬底的顶表面平行的第一方向上延伸；

第二鳍有源区，从所述衬底突出，所述第二鳍有源区在所述第一方向上延伸且在与所述第一方向不同的第二方向上与所述第一鳍有源区间隔开；

栅极线，在所述衬底上与所述第一鳍有源区及所述第二鳍有源区交叉且在所述第二方向上延伸；

第一源极/漏极区，在所述第一鳍有源区中位于所述栅极线的一侧；以及

第二源极/漏极区，在所述第二鳍有源区中位于所述栅极线的所述一侧且面对所述第一源极/漏极区，

其中从与所述第一方向垂直的横截面来看，所述第一源极/漏极区相对于所述第一源极/漏极区的中心线具有不对称形状，所述中心线沿着与所述衬底的所述顶表面垂直的第三方向延伸并延伸穿过所述第一源极/漏极区的顶表面的在所述第二方向上的中心点，

其中所述第一源极/漏极区包括第一侧壁，所述第一侧壁包括第一部分，且所述第一部分大体上垂直于所述衬底的所述顶表面延伸。

2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，所述第一源极/漏极区包括与所述第一侧壁相对的第二侧壁，所述第一侧壁面对所述第二源极/漏极区。

3.根据权利要求2所述的集成电路装置，其特征在于，所述第一源极/漏极区的所述第一侧壁包括：

第二部分，从所述第一源极/漏极区的最上表面相对于所述第三方向以第一倾斜角度倾斜地延伸；以及

第三部分，从所述第一源极/漏极区的底表面相对于所述第三方向以第二倾斜角度倾斜地延伸，

其中所述第一侧壁的所述第一部分设置在所述第二部分与所述第三部分之间且大体上平行于所述第三方向延伸。

4.根据权利要求2所述的集成电路装置，其特征在于，所述第一源极/漏极区的所述第二侧壁包括：

第一部分，从所述第一源极/漏极区的最上表面相对于所述第三方向以第一倾斜角度倾斜地延伸；以及

第二部分，从所述第一源极/漏极区的底表面相对于所述第三方向以第二倾斜角度倾斜地延伸，

其中所述第二侧壁的所述第一部分与所述第二侧壁的所述第二部分彼此交会。

5.根据权利要求2所述的集成电路装置，其特征在于，在所述第二方向上从所述第一源极/漏极区的所述中心线到所述第一源极/漏极区的所述第一侧壁的第一最大距离小于在所述第二方向上从所述第一源极/漏极区的所述中心线到所述第一源极/漏极区的所述第二侧壁的第二最大距离。

6.根据权利要求2所述的集成电路装置，其特征在于，还包括：

第一绝缘衬层，共形地覆盖所述第一源极/漏极区；以及

第二绝缘衬层，共形地覆盖所述第二源极/漏极区，

其中所述第一绝缘衬层的一部分在所述第一侧壁的所述第一部分上在所述第三方向上延伸。

7.根据权利要求6所述的集成电路装置，其特征在于，所述第一绝缘衬层延伸到所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区之间的隔离层上，且在所述第二方向上从所述第一源极/漏极区的所述中心线到所述第一源极/漏极区的所述第一侧壁的第一最大距离小于从所述第一源极/漏极区的所述中心线到所述第一绝缘衬层的位于所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区之间的边缘的第二最大距离。

8.根据权利要求2所述的集成电路装置，其特征在于，所述第一侧壁的所述第一部分是通过以下工艺形成：外延生长第三源极/漏极区，并使用光掩模图案执行对所述第三源极/漏极区的一部分的修剪。

9.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，所述第一鳍有源区是p型金属氧化物半导体晶体管的有源区或者n型金属氧化物半导体晶体管的有源区，以及

其中所述第二鳍有源区是所述n型金属氧化物半导体晶体管的有源区或所述p型金属氧化物半导体晶体管的有源区。