[发明专利]一种曝光方法及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种曝光方法，其特征在于，包括：

将待曝光基底放置在工件台上；

通过温度传感器测量所述待曝光基底的表面温度，并根据所述待曝光基底的表面温度进行温度控制；

所述待曝光基底的表面划分为多个温控场，所述温控场为根据执行曝光操作时所述待曝光基底所在的坐标系进行划分得到的；

测量所述待曝光基底的各个所述温控场的表面温度，获取各个所述温控场的表面温度与目标温度之间的温度差值；

根据各个所述温控场的表面温度与所述目标温度之间的温度差值获取温控量；

根据所述温控量对各个所述温控场的表面温度进行温度控制；

对所述工件台上的待曝光基底进行对准处理以及对掩模台上的掩模版进行对准处理；

执行曝光操作。

2.根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述根据待曝光基底的表面温度进行温度控制之后，还包括：

等待预设时间段之后，再对所述工件台上的待曝光基底进行对准处理。

3.根据权利要求2所述的曝光方法，其特征在于，在更换掩模版时，所述预设时间段t₁为

t₁＝t_pre-N×t_mark

其中，t_pre为掩模版上版所需时间，t_mark为待曝光基底中每个对准标记的对准时间，N为待曝光基底中对准标记的个数。

4.根据权利要求2所述的曝光方法，其特征在于，在不更换掩模版时，所述预设时间段t₂为

t₂＝[M-ceil(N×t_mark/t_field)]×t_field

其中，所述待曝光基底在曝光时划分为多个曝光场，M为待曝光基底中曝光场的个数，ceil为向上取整函数，t_mark为待曝光基底中每个对准标记的对准时间，N为待曝光基底中对准标记的个数，t_field为待曝光基底中每个曝光场的曝光时间。

5.根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述通过温度传感器测量待曝光基底的表面温度，并根据待曝光基底的表面温度进行温度控制包括：

根据第一预设路径依次测量待曝光基底的温控场的表面温度，以及根据第二预设路径依次对待曝光基底的温控场进行温度控制；

重复执行上述步骤以使温控场的表面温度位于预设温度范围内。

6.根据权利要求5所述的曝光方法，其特征在于，所述第一预设路径和所述第二预设路径相同。

7.根据权利要求6所述的曝光方法，其特征在于，所述依次测量待曝光基底的温控场的表面温度与所述依次对待曝光基底的温控场进行温度控制同步执行。

8.根据权利要求5所述的曝光方法，其特征在于，所述重复执行上述步骤的过程中，如果测量部分待曝光基底的温控场表面温度超出预设温度范围，则对第二预设路径进行重新规划，根据规划后的第二预设路径对待曝光基底的温控场进行温度控制。

9.根据权利要求1-8任一所述的曝光方法，其特征在于，所述温度控制的方式为风淋。

10.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括权利要求1-9任一所述的曝光方法。