[发明专利]一种耐热斑光伏双玻组件在审
申请号: | 201810252594.3 | 申请日: | 2018-03-26 |
公开(公告)号: | CN108321230A | 公开(公告)日: | 2018-07-24 |
发明(设计)人: | 任宇航;黄书斌;吉心紫;陆朝阳 | 申请(专利权)人: | 浙江尚越新能源开发有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/044;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 311100 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 二极管 电池片 电池片组 双玻组件 封装膜 耐热 斑光 电池片连接 背面玻璃 多个电池 光伏组件 热斑效应 正面玻璃 焊条 降热 串联 引入 | ||
1.一种耐热斑光伏双玻组件,其特征在于,由上至下依次包括正面玻璃(1)、上封装膜(2)、电池片组(3)、下封装膜(4)及背面玻璃(5),所述电池片组由多个电池片(31)通过互连条(6)串联而成,相邻的电池片之间设有若干二极管(7),二极管的两端分别与相邻的电池片连接。
2.根据权利要求1所述的一种耐热斑光伏双玻组件,其特征在于,所述互连条均布在电池片组正面及背面,所述二极管焊接在电池片组背面连接相邻电池片的互连条处。
3.根据权利要求1或2所述的一种耐热斑光伏双玻组件,其特征在于,相邻的电池片之间设有一个或两个二极管,当相邻的电池片之间设置一个二极管时,所述二极管位于电池片组的中轴线上;当相邻的电池片之间设置两个二极管时,两个二极管以电池片组的中轴线为对称轴对称设置。
4.根据权利要求1所述的一种耐热斑光伏双玻组件,其特征在于,制备方法包括如下步骤:
(1)将正面玻璃、上封装膜、电池片组、下封装膜及背面玻璃组装形成初级产品;
(2)初级产品进入层压机进行层压加工;
(3)层压加工完成后进入高压釜脱泡后得产品。
5.根据权利要求4所述的一种耐热斑光伏双玻组件,其特征在于,当所述电池片组由单晶和/或多晶电池片组成时,层压加工的工艺参数如下设置:
一、层压腔的上、下腔体均抽真空5-6分钟,真空度维持在0-20mbar,温度维持140±2℃;
二、一段保温加压:时间2-3分钟,上腔体加压到100-200mbar,下腔体抽真空,真空度维持在0-20mbar,温度维持140±2℃;
三、二段保温加压:时间3-4分钟,上腔体加压到200-400mbar,下腔体抽真空,真空度维持在0-20mbar,温度维持140±2℃;
四、三段保温加压:时间3-4分钟,上腔体加压到400-600mbar,下腔体抽真空,真空度维持在0-20mbar,温度维持140±2℃;
五、下腔体充气,上腔体抽真空,时间30±1秒;初级产品出机台冷却。
6.根据权利要求4所述的一种耐热斑光伏双玻组件,其特征在于,当所述电池片组由单晶和/或多晶电池片组成时,高压釜脱泡的工艺参数如下设置:
一段加热加压:时间20±1分钟,高压釜维持压力2-4bar,温度维持在120±2℃;
二段加热加压:时间30±1分钟,高压釜维持压力4-6bar,温度维持在120±2℃。
7.根据权利要求4所述的一种耐热斑光伏双玻组件,其特征在于,当所述电池片组由柔性CIGS电池片组成时,层压加工的工艺参数如下设置:
一、层压腔的上、下腔体均抽真空5-6分钟,真空度维持在0-20mbar,温度维持140±2℃;
二、一段保温加压:时间3-4分钟,上腔体加压到100-300mbar,下腔体抽真空,真空度维持在0-20mbar,温度维持150±2℃;
三、二段保温加压:时间3-4分钟,上腔体加压到300-600mbar,下腔体抽真空,真空度维持在0-20mbar,温度维持150±2℃;
四、三段保温加压:时间4-5分钟,上腔体加压到600-800mbar,下腔体抽真空,真空度维持在0-20mbar,温度维持150±2℃;
五、下腔体充气,上腔体抽真空,时间30±1秒;初级产品出机台冷却。
8.根据权利要求4所述的一种耐热斑光伏双玻组件,其特征在于,当所述电池片组由柔性CIGS电池片组成时,高压釜脱泡的工艺参数如下设置:
一段加热加压:时间20±1分钟,高压釜维持压力4-6bar,温度维持在140±2℃;
二段加热加压:时间30±1分钟,高压釜维持压力6-10bar,温度维持在140±2℃。
9.如权利要求1所述的一种耐热斑光伏双玻组件应用于光伏幕墙、光伏大棚及光伏道路的制作。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的