[发明专利]一种太阳能电池在审
| 申请号： | 201810251288.8 | 申请日： | 2018-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN108321229A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 赵博阳 | 申请（专利权）人： | 赵博阳 |
| 主分类号： | H01L31/048 | 分类号： | H01L31/048;H01L31/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 030003 山西省太原市尖草*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 半导体层 吸收层 太阳能电池结构 光电导性质 光子吸收层 发电效率 开路电压 传统的 导电层 正反向 势垒 背离 抛弃 | ||
1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括：
半导体层；
设置在所述半导体层上的吸收层；
设置在所述吸收层背离所述半导体层一侧的导电层；
其中，所述吸收层为具有光电导性质和正反向势垒均≥1伏特的光子吸收层。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述半导体层包括：位于同一平面且相互独立的P型半导体层和N型半导体层；
所述吸收层包括位于同一平面的第一吸收层和第二吸收层，其中，所述第一吸收层位于所述P型半导体层上，所述第二吸收层位于所述N型半导体层上；
所述导电层位于所述第一吸收层和所述第二吸收层上，其中，所述第一吸收层和所述第二吸收层之间通过所述导电层连接。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括：
设置在所述P型半导体层背离所述第一吸收层一侧的第一金属电极；
设置在所述N型半导体层背离所述第二吸收层一侧的第二金属电极。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述半导体层为P型半导体层，且为最高浓度掺杂，电阻率小于0.1mΩ·cm。
5.根据权利要求1所述太阳能电池，其特征在于，所述半导体层为N型半导体层，且为最高浓度掺杂，电阻率小于0.1mΩ·cm。
6.根据权利要求4或5所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括：
设置在所述半导体层背离所述吸收层一侧的第一金属电极；
设置在所述导电层背离所述吸收层一侧的第二金属电极。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述吸收层为本征晶体硅材料层。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述吸收层为本征氧化锌材料层。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池的正向暗电阻和反向暗电阻的差值与所述正向暗电阻的比值小于或等于10％，或所述太阳能电池的正向暗电阻和反向暗电阻的差值与所述反向暗电阻的比值小于或等于10％。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述导电层为透明导电玻璃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
