[发明专利]一种可控自毁阻变存储器阵列的实现方法有效
| 申请号： | 201810250007.7 | 申请日： | 2018-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN108615809B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 彭沛;李慕禅;王紫东;田仲政;宋建宏;任黎明;傅云义 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 可控 阻变存储器阵列 自整流 自毁 交叉存储阵列 构建 阻变存储器单元 敏感数据存储 阻变存储单元 整流二极管 阻变存储器 纳电子学 数据存储 阻变存储 电脉冲 漏电流 读写 应用 | ||
1.一种可控自毁阻变存储器阵列的实现方法，其特征在于，包括：
1)制备石墨烯下电极、MoO3介质层和金属上电极，石墨烯是单层或是多层，MoO3介质层厚度在2nm-1000nm之间；形成具有自整流特性的阻变存储器阵列；
2)在阻变存储器阵列由高阻态转变成低阻态的过程中，对上述阻变存储器阵列中的存储单元延长电平的设置时间为30微秒—3秒，或是加大电平的电压值为0.5V-10V，或同时施加上述设置时间和上述电压值，实现阻变存储器阵列的自毁。
2.如权利要求1所述的实现方法，其特征在于，步骤1)石墨烯是采用湿法或是干法转移方法制备；或是采用化学气相沉积(CVD)或是等离子增强化学气相沉积直接生长的石墨烯。
3.如权利要求1所述的实现方法，其特征在于，步骤1)中，采用湿法或是干法转移的方法将MoO3转移到石墨烯下电极表面；或采用化学气相沉积(CVD)、等离子增强化学气相沉积、原子层沉积(ALD)或是物理气相沉积(PVD)的方式生长或沉积MoO3。
4.如权利要求1所述的实现方法，其特征在于，步骤1)中，在MoO3上涂上光刻胶，光刻、显影形成上电极接触区域，然后利用热蒸发、溅射方式镀上铂、金、钨或镍金属，最后放入丙酮中剥离掉不需要的金属部分，形成金属上电极。
5.如权利要求1所述的实现方法，其特征在于，步骤1)中，利用铂、金或钨金属做成的针尖，直接扎在MoO3表面或是刺入一定的深度，形成上电极。
6.如权利要求1所述的实现方法，其特征在于，步骤1)制备完成的阻变存储阵列中的存储单元的结构是垂直结构、横向结构、包裹结构、横向环形结构或半包裹结构。
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