[发明专利]接垫结构、应用该接垫结构的半导体芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种接垫结构，形成在三五族基板上，其特征在于，包括：

一第一导电层：

一第一电路，连接于该第一导电层；

一第一介电层，形成在该第一导电层上且具有至少一第一贯穿孔，该第一贯穿孔露出该第一导电层；

一第二导电层，包括至少一铆合部及一第一接垫部，该铆合部填满该第一贯穿孔并连接于该第一导电层，而该第一接垫部形成在该第一介电层上方，该铆合部、该第一贯穿孔与该第一导电层构成一铆合结构。

2.根据权利要求1所述的接垫结构，其特征在于，该第一介电层为一种以上介电材料重叠所组成。

3.根据权利要求1所述的接垫结构，其特征在于，该铆合部的整个外周面被该第一介电层包覆。

4.根据权利要求1所述的接垫结构，其特征在于，该第一导电层通过一连接层连接于一第二电路。

5.根据权利要求1所述的接垫结构，其特征在于，更包括：

一第二介电层，形成在该第二导电层上且具一第二贯穿孔，该第二贯穿孔露出该第一接垫部；以及

一第三导电层，包括一填入部及一第二接垫部，该填入部填满该第二贯穿孔并连接于该第一接垫部，而该第二接垫部形成在该第二介电层上方。

6.根据权利要求5所述的接垫结构，其特征在于，该第二贯穿孔的数量为一个。

7.根据权利要求5所述的接垫结构，其特征在于，该第二介电层具有多个该第二贯穿孔，该第三导电层包括多个该填入部，该些填入部填满该些第二贯穿孔。

8.一种半导体芯片，其特征在于，包括：

一三五族基板；以及

一如权利要求1所述的接垫结构，形成在该三五族基板上。

9.根据权利要求8所述的半导体芯片，其特征在于，更包括：

一第二电路，形成在该三五族基板上且与该接垫结构彼此间隔；以及

一连接层，形成在该三五族基板上且连接该第二电路与该第一导电层。

10.一种接垫结构的制造方法，其特征在于，包括：

形成一第一电路于一三五族基板上；

形成一第一导电层于该三五族基板上；

形成一第一介电材料覆盖该第一导电层及该第一电路；

形成一第一贯穿孔贯穿该第一介电材料，以形成一第一介电层，该第一贯穿孔露出该第一导电层；以及

形成一第二导电层于该第一介电层上，该第二导电层包括至少一个铆合部及一第一接垫部，该铆合部填满该第一贯穿孔并连接于该第一导电层，而该第一接垫部形成在该第一介电层上方。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，于形成该第一导电层于该三五族基板上的步骤更包括：

形成一第二电路及一连接层于该三五族基板上，其中该第二电路与该接垫结构彼此间隔，该连接层连接第二电路与第一导电层。