[发明专利]一种SAW芯片及其制备方法、制备系统

权利要求书

1.一种SAW芯片制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上制备叉指图层，得到SAW晶圆，所述叉指图层包括：内部电极、汇流条、外部电极和叉指图形，所述叉指图形由所述外部电极的突出部分别与所述汇流条的突出部和所述内部电极的突出部叉指形成，所述内部电极和所述外部电极被所述汇流条和所述叉指图形隔开；

在所述SAW晶圆的汇流条上制备绝缘凸块，所述绝缘凸块覆盖在所述汇流条上；

在所述绝缘凸块上制备连接所述内部电极和所述外部电极的导电片，得到SAW芯片。

2.根据权利要求1所述的SAW芯片制备方法，其特征在于，所述在所述SAW晶圆的汇流条上制备绝缘凸块，具体包括：

制作第一掩膜版；

在所述SAW晶圆上制备负性光刻胶薄膜；

将所述第一掩膜版覆盖在所述负性光刻胶薄膜上，且所述第一掩膜版的透光窗口覆盖所述汇流条；

对所述负性光刻胶薄膜进行曝光；

使用负胶显影液对曝光后的负性光刻胶薄膜进行显影，得到覆盖在所述汇流条上的绝缘凸块；

其中，所述负性光刻胶薄膜不与所述叉指图层发生反应。

3.根据权利要求1或2所述的SAW芯片制备方法，其特征在于，所述在所述绝缘凸块上制备连通所述内部电极和所述外部电极的导电片，具体包括：

制作第二掩膜版；

在制备所述绝缘凸块后的SAW晶圆上制备反转光刻胶薄膜；

将所述第二掩膜版覆盖在所述反转光刻胶薄膜上，且所述第二掩膜版的不透光区域覆盖所述内部电极、所述绝缘凸块和所述外部电极，不覆盖所述汇流条；

对所述反转光刻胶薄膜进行曝光；

使用反转光刻胶显影液对曝光后的反转光刻胶薄膜进行显影，得到空出所述内部电极、所述绝缘凸块和所述外部电极的反转光刻胶膜层；

在所述反转光刻胶膜层上制备导电膜层；

溶解所述反转光刻胶膜层，得到覆盖在所述内部电极、所述绝缘凸块和所述外部电极上，且连接所述内部电极和所述外部电极的导电片。

4.根据权利要求3所述的SAW芯片制备方法，其特征在于，所述反转光刻胶膜层的厚度大于所述导电膜层的厚度。

5.一种SAW芯片制备系统，其特征在于，包括：

晶圆制作装置，用于在衬底上制备叉指图层，得到SAW晶圆，所述叉指图层包括：内部电极、汇流条、外部电极和叉指图形，所述叉指图形由所述外部电极的突出部分别与所述汇流条的突出部和所述内部电极的突出部叉指形成，所述内部电极和所述外部电极被所述汇流条和所述叉指图形隔开；

绝缘凸块制作装置，用于在所述SAW晶圆的汇流条上制备绝缘凸块，所述绝缘凸块覆盖在所述汇流条上；

导电片制作装置，用于在所述绝缘凸块上制备连接所述内部电极和所述外部电极的导电片，得到SAW芯片。

6.根据权利要求5所述的SAW芯片制备系统，其特征在于，所述绝缘凸块制作装置具体用于制作第一掩膜版；在所述SAW晶圆上制备负性光刻胶薄膜；将所述第一掩膜版覆盖在所述负性光刻胶薄膜上，且所述第一掩膜版的透光窗口覆盖所述汇流条；对所述负性光刻胶薄膜进行曝光；使用负胶显影液对曝光后的负性光刻胶薄膜进行显影，得到覆盖在所述汇流条上的绝缘凸块，其中，所述负性光刻胶薄膜不与所述叉指图层发生反应。

7.根据权利要求5或6所述的SAW芯片制备系统，其特征在于，所述导电片制作装置具体用于制作第二掩膜版；在制备所述绝缘凸块后的SAW晶圆上制备反转光刻胶薄膜；将所述第二掩膜版覆盖在所述反转光刻胶薄膜上，且所述第二掩膜版的不透光区域覆盖所述内部电极、所述绝缘凸块和所述外部电极，不覆盖所述汇流条；对所述反转光刻胶薄膜进行曝光；使用反转光刻胶显影液对曝光后的反转光刻胶薄膜进行显影，得到空出所述内部电极、所述绝缘凸块和所述外部电极的反转光刻胶膜层；在所述反转光刻胶膜层上制备导电膜层；溶解所述反转光刻胶膜层，得到覆盖在所述内部电极、所述绝缘凸块和所述外部电极上，且连接所述内部电极和所述外部电极的导电片。