[发明专利]一种加快相变存储器写操作速度的方法

说明书

本发明提供了一种加快相变存储器写操作的方法，其中，提供一相变存储器，在对所述相变存储器中连续的多个写操作地址进行写操作时执行下述步骤：将当前的所述写操作地址作为当前地址并进行写操作；对所述当前地址后续的所述写操作地址依次进行预加热处理；当完成对所述当前地址的写操作后，转向下一个所述写操作地址，进行写操作，直至对所有所述写操作地址的写操作均执行完毕为止；有益效果：采用预加热技术对第一个地址之后的后续地址依次进行预先加热，使这些后续的地址在准备开始写入时就已经达到了所需的温度并可直接进行相关操作，从而大大节省了写入时间，加快了写入速度。

技术领域

本发明涉及存储器读写领域，尤其涉及一种加快相变存储器写操作速度的方法。

背景技术

相变存储器(Phase Change Memory,PCM)是利用特殊的可相变材料在晶态和非晶态之间相互转化时所表现出来的导电性差异来存储数据的。根据相变存储器的工作原理，在对它进行写入数据时，无论是SET操作还是RESET操作(特别是SET操作，因为SET操作需要持续的时间比较长)，都必须先让待写入的单元中的相变材料升温，之后才能使用适当的方法使其变成晶态或者非晶态。而温度的上升过程需要耗费一定的时间，从而制约了相变存储器的写入速度。

发明内容

针对上述问题，本发明提供了一种加快相变存储器写操作的方法，其中，提供一相变存储器，在对所述相变存储器中连续的多个写操作地址进行写操作时执行下述步骤：

步骤S1，将当前的所述写操作地址作为当前地址并进行写操作；

步骤S2，对所述当前地址后续的所述写操作地址依次进行预加热处理；

步骤S3，当完成对所述当前地址的写操作后，转向下一个所述写操作地址，并返回所述步骤S1，直至对所有所述写操作地址的写操作均执行完毕为止。

其中，所述步骤S2中，对所述当前地址后续的一个所述写操作地址进行预加热处理。

其中，所述步骤S2中，所述当前地址后续的所述写操作地址为所述相变存储器中的存储单元的存储地址，和/或所述相变存储器中的存储页的存储地址，和/或所述相变存储器中的存储块的存储地址。

其中，所述步骤S2中，对所述当前地址后续的所述写操作地址进行预加热处理，以使后续的所述写操作地址所对应的所述相变存储器中的存储单元的温度达到一适于进行所述写操作的预设温度。

其中，所述步骤S2中，对所述当前地址后续的多个所述写操作地址进行预加热处理；

则所述步骤S2中，在对所述当前地址后续的所述写操作地址进行预加热处理之前，首先执行下述判断：

判断后续的所述写操作地址所对应的所述存储单元的温度是否已经达到所述预设温度：

若是，则不对对应的所述写操作地址进行所述预加热处理；

若否，则对对应的所述写操作地址进行所述预加热处理。

其中，所述相变存储器包括平面型相变存储器和立体型相变存储器。

其中，当所述相变存储器为所述立体型相变存储器时，所述相变存储器中包括上下堆叠的多层存储器层；

则所述步骤S2中，只对所述相变存储器中的最顶层的所述存储器层执行所述预加热处理。

有益效果：在对相变存储器进行写操作时，对第一个地址之后的后续地址单元依次进行预先加热，使这些后续的地址单元在准备开始写入时就已经达到了所需的温度并可直接进行相关操作，从而大大节省了写入时间，加快了写入速度。

附图说明

图1为本发明的工作原理示意图；