[发明专利]图像传感器有效
申请号: | 201810245244.4 | 申请日: | 2018-03-23 |
公开(公告)号: | CN109286762B | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 李雄熙 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H04N5/369 | 分类号: | H04N5/369;H04N5/341 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 李少丹;许伟群 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,其包括:
像素阵列,其包括多个像素块,所述多个像素块中的每个像素块包括:
光接收部,其包括共享浮置扩散部的多个单位像素;以及
驱动部,其被形成为与光接收部相邻并且包括复位晶体管和驱动晶体管,
其中,所述多个像素块包括:第一像素块和第二像素块,所述第一像素块和第二像素块在第一方向上彼此相邻;以及第三像素块和第四像素块,所述第三像素块和第四像素块在与第一方向交叉的第二方向上分别与第一像素块和第二像素块相邻,并且还在第一方向上彼此相邻,
其中,第一像素块的驱动部的复位晶体管和第二像素块的驱动部的复位晶体管共享复位晶体管之间的漏极,并且第三像素块的驱动部的驱动晶体管和第四像素块的驱动部的驱动晶体管共享驱动晶体管之间的漏极,以及
其中,由第一像素块和第二像素块共享的复位晶体管的漏极以及由第三像素块和第四像素块共享的驱动晶体管的漏极在第二方向上位于相同线上。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,在所述多个像素块的每个像素块中,驱动部包括:第一驱动部,其包括复位晶体管;第二驱动部,其与第一驱动部相邻并且包括驱动晶体管;以及还包括拾取区,其形成在第一驱动部与第二驱动部之间。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,复位晶体管的漏极和驱动晶体管的漏极分别位于所述多个像素块的每个像素块中的两个端部处。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,复位电压被施加至由第一像素块和第二像素块共享的复位晶体管的漏极,驱动电压被施加至由第三像素块和第四像素块共享的驱动晶体管的漏极,并且复位电压和驱动电压是电源电压或者等于或大于电源电压的正电压。
5.根据权利要求1所述的图像传感器,
其中,所述多个像素块包括位于与第一像素块相交的斜线上并且具有与第一像素块相同的平面形状的像素块,以及
其中,所述多个像素块包括位于与第二像素块相交的斜线上并且具有与第二像素块相同的平面形状的像素块。
6.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,第一像素块的平面形状与第四像素块的平面形状相同,并且第二像素块的平面形状与第三像素块的平面形状相同。
7.根据权利要求1所述的图像传感器,
其中,复位晶体管的漏极相比于复位晶体管的源极位于更远离对应像素块的中心的位置,以及
其中,驱动晶体管的漏极相比于驱动晶体管的源极位于更远离对应像素块的中心的位置。
8.一种图像传感器,其包括:
像素阵列,其包括多个像素块,所述多个像素块中的每个像素块包括:
光接收部,其包括共享浮置扩散部的多个单位像素;
驱动部,其形成为与光接收部相邻,并且包括复位晶体管和驱动晶体管;以及
互耦部,其包括:第一导电区,其将浮置扩散部与复位晶体管和驱动晶体管电耦接;以及第二导电区,其具有基于浮置扩散部而与第一导电区对称的形状,并且不电耦接至复位晶体管和驱动晶体管,
其中,所述多个像素块包括:第一像素块和第二像素块,所述第一像素块和第二像素块在第一方向上彼此相邻;以及第三像素块和第四像素块,所述第三像素块和第四像素块在与第一方向交叉的第二方向上分别与第一像素块和第二像素块相邻,并且还在第一方向上彼此相邻,以及
其中,第一像素块的驱动部的复位晶体管和第二像素块的驱动部的复位晶体管共享复位晶体管之间的漏极,并且第三像素块的驱动部的驱动晶体管和第四像素块的驱动部的驱动晶体管共享驱动晶体管之间的漏极。
9.根据权利要求8所述的图像传感器,在所述多个像素块的每个像素块中,驱动部包括:第一驱动部,其包括复位晶体管;第二驱动部,其与第一驱动部相邻并且包括驱动晶体管;以及还包括拾取区,其形成在第一驱动部与第二驱动部之间。
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