[发明专利]一种三维中空硒硫化镍纳米框催化剂的制备方法有效
申请号: | 201810242485.3 | 申请日: | 2018-03-23 |
公开(公告)号: | CN108493297B | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 钱兴;吴伟敏;刘宏宇 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;B01J23/755 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊 |
地址: | 362801 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 三维 中空 硫化 纳米 催化剂 制备 方法 | ||
本发明公开了一种三维中空硒硫化镍纳米框催化剂的制备方法,其是将镍钴类普鲁士蓝纳米立方体与九水合硫化钠分散于溶剂中,经溶剂热反应后得到硫化镍纳米框;再将所得硫化镍纳米框与硒粉分散于溶剂中,加入一定量的水合联氨,经二次溶剂热反应制得所述三维中空硒硫化镍纳米框催化剂。本发明方法操作简单、成本低且制备的硒硫化镍纳米框催化剂拥有优异的电化学性能及纳米粒子尺寸小、比表面积大、结构稳定等优点,将其用于作为染料敏化太阳能电池的对电极,其光电转化效率可达到9.66%。
技术领域
本发明属于材料制备领域,具体涉及一种三维中空硒硫化镍纳米框催化剂的制备方法。
背景技术
化石能源包括煤、石油、天然气,其作为全球主要的一次能源,在我国的能源结构中占有很大的比重。但是化石能源储量有限且不可再生及其在燃烧过程中会造成的各种生态环境问题,因此迫切需要寻找一种可替代的清洁能源。风能、地热能、生物质能和太阳能等一系列可再生能源成为了很好的选择。其中太阳能具有安全无污染且无限制供应等优势,使得太阳能的利用成为了当下的研究热点之一。
1991年,瑞士科学家Grätzel在Nature上报道了一种名为染料敏化太阳能电池(DSSCs)的新型太阳能电池。相比于高成本硅基太阳能电池,DSSCs构造简单、制作容易、成本较低、对环境友好。随后的研究中,DSSCs光电转化效率不断得到提高。因此DSSCs在将来很有可能取代硅基太阳能电池成为太阳能电池的主导。
DSSCs是由光阳极、电解质和对电极三部分组成的类似于三明治结构。其中对电极大多是由氯铂酸负载在导电玻璃(Fluorine-doped Tin Oxide,FTO)上制成的Pt对电极,这是由于Pt催化剂对碘电解液中I–/I3–电子对的氧化还原反应拥有优异的催化性能。但Olsen等人研究表明,Pt会在碘电解液中反应生成PtI4,使得Pt的催化性能下降。同时贵金属Pt储量少、价格昂贵,阻碍了DSSCs的大规模应用。因此,迫切寻找可替代Pt作为对电极的催化剂。在过去几年的研究中发现了许多的可替代材料,如碳材料、合金材料、导电聚合物材料等,它们各有各的优缺点。如碳材料拥有优异的催化活性和耐腐蚀性能,但其在FTO玻璃上的附着能力较差,会造成DSSCs短路。
根据已有的报道,过渡金属硫化物、硒化物如CoS2、Co3S4、FeS、FeS2、NiS、NiSe2、CoSe2,特别是那些拥有中空结构的过渡金属硫化物、硒化物表现出优异的电化学性能。这是由于三维中空结构纳米材料具有三维开放结构,纳米粒子尺寸小,比表面积大,结构的稳定性好等特点所决定的。因此,拥有三维中空结构的过渡金属硫化物、硒化物催化剂有望成为DSSCs对电极中Pt的替代品。
发明内容
本发明的目的在于提供一种低成本、高性能的三维中空硒硫化镍纳米框催化剂的制备方法,以取代DSSCs对电极中常用的Pt催化剂。其方法操作简单、成本低且制备的硒硫化镍纳米框催化剂拥有优异的电化学性能及纳米粒子尺寸小、比表面积大、结构稳定等优点。
为实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种三维中空硒硫化镍纳米框催化剂的制备方法,其包括以下步骤:
1)将镍钴类普鲁士蓝纳米立方体Ni3[Co(CN)6]2·12H2O(Ni-Co PBA)与Na2S·9H2O分散于乙醇和水的混合溶剂中,120~160 ℃下溶剂热反应6 h后,离心,干燥,得到三维中空硫化镍纳米框架;
2)将所得硫化镍纳米框架与硒粉分散于去离子水中,加入一定量水合联氨,160℃下溶剂热反应6~20 h后,离心,干燥,得到所述三维中空硒硫化镍纳米框。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福州大学,未经福州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810242485.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的