[发明专利]一种MOS管驱动电路

说明书

本发明公开一种MOS管驱动电路，具有精简现有MOS管驱动电路的技术效果，包括UC3843和PMOS管，所述PMOS管的源极与电源正极电连接；所述UC3843的OUT引脚串联第五电阻(R5)后与所述PMOS管的栅极电连接；所述PMOS管的源极串联第九电阻(R9)后与所述PMOS管的栅极电连接；电路输出电压反馈信号(VF)通过第一电阻(R1)与所述UC3843的VFB引脚电连接；所述UC3843的VREF引脚仅与第一电阻(R1)、第二电阻(R2)依次串联后与所述UC3843的VFB引脚电连接；所述UC3843的COMP引脚通过并联连接的第十电阻(R10)、第一电容(C1)与所述VFB引脚电连接。本发明解决了在UC3843的OUT端需额外使用升压模块，以及输入输出之间压差过大的问题。

技术领域

本发明涉及MOS管驱动技术领域，尤其涉及一种MOS管驱动电路。

背景技术

NMOS管导通的必要条件是其栅极电压高于源极电压一定值。图1所示，现有技术中的，NMOS管驱动电路，电路工作时，NMOS管Q1的源极电压近似为VCC电压，UC3843的OUT端6输出的PWM波为高电平时，通过二极管D1、电容C8组成自举升压电路，MOS管栅极电压为VCC电压与PWM波高电平电压叠加，NMOS管满足栅极电压高于源极电压一定值而导通。上述驱动电路中，NMOS管导通还需要在其OUT端6增加一个升压模块，致使电路过于复杂，对MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流也会带来附加的不良影响，会增加MOS管的导通损失。进一步地，额外增加的升压模块对MOS管的开关损失亦会造成不良影响，致使导通瞬间电压和电流的乘积过大，升压模块不能使NMOS一直处于导通状态，电路输入输出之间形成过大的压差。

因此，提供一种MOS管驱动电路，以克服上述技术缺陷中的至少一种，就成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种MOS管驱动电路，具有精简现有MOS管驱动电路的技术效果。

为了实现上述目的，本发明提供一种MOS管驱动电路，包括UC3843和PMOS管，其特征在于，所述PMOS管的源极与电源正极电连接；所述UC3843的OUT引脚串联第五电阻R5后与所述PMOS管的栅极电连接；所述PMOS管的源极串联第九电阻R9后与所述PMOS管的栅极电连接；电路输出电压反馈信号VF通过第一电阻R1与所述UC3843的VFB引脚电连接；所述UC3843的VREF引脚仅与第一电阻R1、第二电阻R2依次串联后与所述UC3843的VFB引脚电连接；所述UC3843的COMP引脚通过并联连接的第十电阻R10、第一电容C1与所述VFB引脚电连接。

优选地，所述UC3843的引脚包括：COMP1、VFB2、VREF3、RT/CT4、GND5、ISEN6和OUT7。

本发明所提供的MOS管驱动电路优点如下：

本发明通过将NMOS管替换为PMOS管，将PMOS管Q1源极接在电源正极，使用UC3843芯片OUT端口的输出PWM波作为驱动PMOS管Q1的栅极电压，电路输出电压反馈信号VF通过电阻R1接到UC3843的VFB端，UC3843的VREF端通过电阻R1、R2接到UC3843的VFB端。无电压反馈信号VF时，光耦OP1中内部三极管等效的电阻阻值无穷大，此时VREF端5V电压加载到VFB端，OUT端输出的PWM波占空比较低，PMOS管Q1导通时间长；当有电压反馈信号VF时，由于光耦OP1中内部的三极管等效于一个电阻，此时VFB端电压被此电阻拉低至0V电压，OUT端输出的PWM波占空比增大，PMOS管Q1导通时间缩短。通过用UC3843驱动PMOS管不需要在UC3843的OUT端使用升压模块。本发明通过翻转UC3843的采样电压信号，从而将UC3843的OUT端输出的PWM波翻转，达到用UC3843驱动PMOS管的效果,解决了在UC3843的OUT端使用升压模块的问题。此外，本发明上述电路PMOS管Q1始终处于导通状态，有效的解决了电路中输入输出之间压差过大的问题。

附图说明