[发明专利]一种制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供具有第一区域和第二区域的晶圆，其中，所述第一区域中的第一器件的栅极和所述第二区域中的第二器件的栅极之间的交界处由于存在台阶而存在第一形貌变化；

在所述晶圆的所述第一区域和所述第二区域的上方形成第一介电层；

图案化所述第一介电层以在所述台阶的侧壁处形成间隔件，其中，所述间隔件的略圆形的或弧形的表面导致所述第一区域中的所述第一器件的栅极和所述第二区域中的所述第二器件的栅极的交界处之间存在第二形貌变化，并且其中，所述第二形貌变化比第一形貌变化更加平滑；以及

在所述第一区域和所述第二区域上方形成第二介电层，其中，所述第二介电层的至少部分形成在图案化的所述第一介电层上方。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：将所述第二介电层图案化为图案化的掩模层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二介电层的图案化包括光刻胶再加工工艺。

4.根据权利要求3所述的方法，其中：

所述第二介电层的图案化包括：在所述第二介电层上方形成抗反射材料，以及在所述抗反射材料上方形成光敏材料；以及

所述光刻胶再加工工艺包括应用酸以去除所述抗反射材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，使用非共形沉积工艺实施所述第二介电层的形成。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二介电层的形成包括：将所述第二介电层形成为连续的层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一介电层的图案化包括间隔件图案化工艺。

8.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述半导体器件包括存储器件；

所述第一区域包括非易失性存储器件；以及

所述第二区域不具有非易失性存储器件。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一区域比所述第二区域高。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述非易失性存储器件包括浮置栅极以及形成在所述浮置栅极上方的控制栅极。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第二介电层的图案化包括：在所述控制栅极的侧壁上形成图案化的所述第二介电层。

12.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供具有第一区域和第二区域的晶圆，其中，所述第一区域包括闪存单元并且所述闪存单元的第一栅极与所述第二区域的器件的第二栅极的交界处形成台阶；

在所述晶圆的所述第一区域上方和所述第二区域上方形成第一层；

图案化所述第一层以在所述台阶的侧壁处形成间隔件组件；

在所述第一区域上方和所述第二区域上方，包括在所述间隔件组件上方形成连续的第二层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中：

所述闪存单元包括浮置栅极和形成在所述浮置栅极上方的控制栅极；

在所述控制栅极的侧壁上形成所述间隔件组件。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，通过非共形沉积工艺实施所述第二层的形成。

15.根据权利要求14所述的方法，进一步包括：

将所述第二层图案化为掩模层；以及

利用所述掩模层图案化所述闪存单元。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第二层的图案化包括：

在所述第二层上方形成抗反射层；以及

使用酸去除所述抗反射层。