[发明专利]一种液晶面板的断线修复方法有效
申请号: | 201810238595.2 | 申请日: | 2018-03-22 |
公开(公告)号: | CN108646476B | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
发明(设计)人: | 王正平;张浙源;盛科;张巍;柯倩;辛坤 | 申请(专利权)人: | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 210033 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 液晶面板 断线 修复 方法 | ||
本发明公开了一种液晶面板的断线修复方法,包括以下步骤:对跨第一像素区域和第二像素区域的数据线断线进行镀膜架桥修补,形成连接桥连接位于断线两侧的数据线;在相邻的第一像素区域和第二像素区域中,形成熔接点使公共电极线和漏极电性连接,在漏极接触孔外部两侧的公共电极上方剥除第二导电膜,形成两个剥除孔;判断第一像素区域和第二像素区域周边是否存在异常像素区域,若无,则修复结束,若有,则根据情况选择第一像素区域或第二像素区域,在两个剥除孔处进行公共电极线的切断,将该像素区域由暗点修复为正常点,避免产生多连结缺陷,提高了修复的成功率。
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域,尤其涉及一种液晶面板的断线修复方法。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)是液晶显示器的一种,它具有低能耗、高亮度、高对比度、高响应速度、环保等特点,被广泛应用于电视、平板显示器及投影仪上。阵列工序是整个液晶显示制造流程中最核心的工序,制程工艺复杂度高、工期长、投资大,故阵列基板的良率至关重要。
阵列工序一般需经过多次“成膜-曝光-显影-蚀刻”完成阵列基板的制作,在透明玻璃基板上做成薄膜晶体管阵列,用来驱动液晶分子的旋转。制程工艺复杂,环境中异物很容易导致金属层断线,从而影响整个驱动控制电路正常导通。
现有技术中,阵列工序完成后金属层断线均利用激光化学沉积(Laser chemicalvapor deposition,LCVD)方式进行修复。激光化学沉积是金属源六羰 基钨W(CO)6在激光束作用下发生光解反应,分离出金属钨成膜在断线处,从而使信号线导通。
如图1所示,液晶面板的阵列基板包括矩阵状排列的第一像素区域01、第二像素区域02、第三像素区域03和第四像素区域04,位于同一列且相邻的第一像素区域01和第二像素区域02共用一条数据线11,针对跨像素区域数据线(source line)断线,数据线11的线缺陷110一部分位于第一像素区域01 内,一部分位于第二像素区域02内。
现行跨像素区域的数据线断线修复方法如图2所示,步骤简要地包括:
步骤S11:找到跨像素区域的数据线线缺陷110的位置;
步骤S12:首先在线缺陷110两侧的数据线11上方使用激光打出修复通孔21,使数据线11暴露在表面;然后,利用激光化学沉积方式进行修复,形成连接桥22,连接桥22的两端分别与两个修复通孔21内的数据线11电性连接,使线缺陷110两侧的数据线11导通;
步骤S13:使用激光在连接桥22外围剥除第一透明导电膜,形成剥除区域 23,剥除区域23一侧的连接桥22与剥除区域23另一侧的像素电极17断开。
该方法为本领域内通用修复手法,修复成功率约90%,修复失败可能形成多连结,多连结是指3个或3个以上相邻像素区域出现暗点或者亮点缺陷。步骤S12在镀膜时金属溅射或者步骤S13中剥除区域23处的像素电极17剥除不干净可能导致第一像素区域01和第二像素区域02变成亮点。若周边像素区域有异常(以第三像素区域03、第四像素区域04为例),就会形成多连结,导致液晶面板报废。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供一种液晶面板的断线修复方法,可以提高跨像素区域数据线断线的修复成功率,避免形成多连结。
本发明提供的技术方案如下:
本发明公开了一种液晶面板的断线修复方法,当液晶面板内的数据线发生跨像素区域断线时,该修复方法包括以下步骤:
第一步:确定数据线的线缺陷所在位置,线缺陷的一部分位于第一像素区域内,另一部分位于与第一像素区域相邻的第二像素区域内;
第二步:首先,在线缺陷两侧的数据线上方形成两个修复通孔,然后,形成连接桥,连接桥的两端分别与两个修复通孔内的数据线电性连接;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京中电熊猫液晶显示科技有限公司,未经南京中电熊猫液晶显示科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810238595.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。