[发明专利]一种空间剂量调制JTE与场线环构成的混合节终端保护结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201810238503.0 | 申请日： | 2018-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN108493232A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 黄兴;牛喜平;陈欣璐 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场线 终端保护结构 剂量调制 保护结构 环结构 耐压 制备 横向功率器件 降低表面电场 纵向功率器件 表面电场 工艺窗口 降低器件 精度要求 器件边缘 一次光刻 终端区域 注入剂量 漂移区 源区 申请 离子 激活 应用 | ||
1.一种空间剂量调制JTE与场线环构成的混合节终端保护结构，其特征在于，所述保护结构包括从器件的有源区向器件边缘依次分布的JTE结构与场线环结构；其中，所述JTE结构至少包含一个空间调制的区域，该区域的注入区占该区域总面积的1％至99％；若包含两个及以上的空间调制区域，注入区占比从有源区向器件边缘递减；所述场线环结构包括至少包含一个场线环，若包含两个及以上的场线环，场线环的间隔可以是相同间隔、等差间隔或者不等间隔。
2.一种权利要求1所述的空间剂量调制JTE与场线环构成的混合节终端保护结构的制备方法，其特征在于，所述方法为：
首先在器件表面的离子注入区域设置注入掩膜阻挡层，然后通过离子注入来制作所述JTE结构和所述场线环结构，通过调节所述注入掩膜阻挡层的阻挡图形密度来制作形成注入区占比从有源区向器件边缘递减的JTE结构；并通过调制场线环间隔来调制场线环的注入比例。
3.根据权利要求2所述的空间剂量调制JTE与场线环构成的混合节终端保护结构的制备方法，其特征在于，所述掩膜阻挡层为0.5um—3um厚的氧化硅、氮化硅、多晶硅、光刻胶或者他们的混合结构。
4.根据权利要求2所述的空间剂量调制JTE与场线环构成的混合节终端保护结构的制备方法，其特征在于，所述离子注入的角度为0-45度，离子注入能量1keV-3000keV，剂量为2E11cm-2-2E15cm-2。
5.根据权利要求2所述的空间剂量调制JTE与场线环构成的混合节终端保护结构的制备方法，其特征在于，所述掩膜阻挡层上的阻挡层图形为圆形，圆环形或者多边形。
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