[发明专利]一种高荧光性能铜纳米簇/水滑石复合薄膜材料的制备方法在审
申请号: | 201810238467.8 | 申请日: | 2018-03-22 |
公开(公告)号: | CN108559482A | 公开(公告)日: | 2018-09-21 |
发明(设计)人: | 靳兰;付艳艳;闫亮;梁瑞政;卫敏 | 申请(专利权)人: | 北京化工大学 |
主分类号: | C09K11/02 | 分类号: | C09K11/02;C09K11/58;G01K11/32;G01K11/20 |
代理公司: | 北京太兆天元知识产权代理有限责任公司 11108 | 代理人: | 张洪年 |
地址: | 100029 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米簇 制备 水滑石 复合薄膜材料 高荧光 负电 电致化学发光 纳米发光材料 水滑石纳米片 表面带正电 温度传感器 逐层自组装 电致发光 复合薄膜 光致发光 胶体溶液 荧光寿命 石英片 荧光 产率 多轮 量子 响应 | ||
1.一种高荧光性能铜纳米簇/水滑石复合薄膜材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)制备带负电的铜纳米簇溶液和带正电的水滑石纳米片胶体溶液;
2)基片分别在步骤1)中的两种溶液中进行逐层交替自组装得到铜纳米簇/水滑石复合薄膜。
2.根据权利要求1所述的高荧光性能铜纳米簇/水滑石复合薄膜材料的制备方法,其特征在于,通过将水滑石前体在甲酰胺中进行剥层得到带正电的水滑石纳米片胶体溶液,所述水滑石前体为Mg1-xAlx(OH)2(NO3)x·mH2O,其中,0.2≤x≤0.33,m为结晶水的数量,取值范围为0.5-9。
3.根据权利要求2所述的高荧光性能铜纳米簇/水滑石复合薄膜材料的制备方法,其特征在于,带负电的铜纳米簇溶液是谷胱甘肽保护的铜纳米簇溶液。
4.根据权利要求3所述的高荧光性能铜纳米簇/水滑石复合薄膜材料的制备方法,其特征在于,所述基片是通过PDDA溶液预处理得到的表面带正电的石英片。
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