[发明专利]液晶显示装置及其制作方法有效
申请号: | 201810235679.0 | 申请日: | 2018-03-21 |
公开(公告)号: | CN108345153B | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 钟德镇;苏子芳;黄丽玉 | 申请(专利权)人: | 昆山龙腾光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1333;G09G3/36 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 蔡光仟 |
地址: | 215301 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 及其 制作方法 | ||
1.一种液晶显示装置,包括第一基板(11)、第二基板(12)以及设置于该第一基板(11)与该第二基板(12)之间的液晶层(13),其特征在于,该第二基板(12)上设有第一像素电极(126a)、第二像素电极(126b)和公共电极(124),该第一像素电极(126a)、该第二像素电极(126b)分别与该公共电极(124)之间形成第一存储电容和第二存储电容,该第一像素电极(126a)和该第二像素电极(126b)电性连接,该液晶显示装置还包括时序控制系统(22),该时序控制系统(22)包括时序控制器(223)、自刷新器(224)和缓冲存储器(225),该时序控制器(223)分别与该自刷新器(224)、该缓冲存储器(225)电性连接,该缓冲存储器(225)用于存储静态显示的画面,该时序控制器(223)可切断系统接口的传输通道,并使该自刷新器(224)刷新显示该缓冲存储器(225)存储的画面。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,该液晶显示装置显示静态画面时的刷新频率小于60HZ。
3.如权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,该第二基板(12)上还设有绝缘平坦层(123)、第一绝缘间隔层(125a)和第二绝缘间隔层(125b),该公共电极(124)设置在该绝缘平坦层(123)上,该第一绝缘间隔层(125a)设置在该公共电极(124)上,该第一像素电极(126a)设置在该第一绝缘间隔层(125a)上,该第二绝缘间隔层(125b)设置在该第一绝缘间隔层(125a)上,该第二像素电极(126b)设置在该第二绝缘间隔层(125b)上。
4.如权利要求3所述的液晶显示装置,其特征在于,该第一像素电极(126a)包括多个相互间隔设置的第一电极条,该第二像素电极(126b)包括多个相互间隔设置的第二电极条,各该第一电极条与各该第二电极条相互间隔错开排列。
5.如权利要求4所述的液晶显示装置,其特征在于,该第二绝缘间隔层(125b)上设有多个第一开口(102),各该第一开口(102)贯穿该第二绝缘间隔层(125b),各该第一电极条位于各该第一开口(102)中。
6.如权利要求3所述的液晶显示装置,其特征在于,该第二绝缘间隔层(125b)上设有第二开口(103),该第二开口(103)贯穿该第二绝缘间隔层(125b),该第二像素电极(126b)通过该第二开口(103)与该第一像素电极(126a)电性连接。
7.如权利要求3所述的液晶显示装置,其特征在于,该第二基板(12)上还设有多条扫描线(127)和数据线(128),多条该扫描线(127)与多条该数据线(128)相互交叉限定形成呈阵列排布的多个子像素,各该子像素内设有该第一像素电极(126a)、该第二像素电极(126b)和薄膜晶体管(129),该薄膜晶体管(129)的漏极与该第一像素电极(126a)和该第二像素电极(126b)电性连接。
8.一种液晶显示装置的制作方法,该液晶显示装置的制作方法的步骤包括,制作第一基板(11)和第二基板(12),并将液晶层(13)设置于该第一基板(11)与该第二基板(12)之间,其特征在于,制作该第二基板(12)的步骤包括:
提供衬底基板,在该衬底基板上制作第一像素电极(126a)、第二像素电极(126b)和公共电极(124),并使该第一像素电极(126a)、该第二像素电极(126b)分别与该公共电极(124)之间形成第一存储电容和第二存储电容,该第一像素电极(126a)和该第二像素电极(126b)电性连接,该液晶显示装置还包括时序控制系统(22),该时序控制系统(22)包括时序控制器(223)、自刷新器(224)和缓冲存储器(225),该时序控制器(223)分别与该自刷新器(224)、该缓冲存储器(225)电性连接,该缓冲存储器(225)用于存储静态显示的画面,该时序控制器(223)可切断系统接口的传输通道,并使该自刷新器(224)刷新显示该缓冲存储器(225)存储的画面。
9.如权利要求8所述的液晶显示装置的制作方法,其特征在于,制作该第二基板(12)的步骤还包括:
在该衬底基板上形成绝缘平坦层(123);
在该绝缘平坦层(123)上形成该公共电极(124);
在该公共电极(124)上形成第一绝缘间隔层(125a);
在该第一绝缘间隔层(125a)上形成该第一像素电极(126a);
在该第一像素电极(126a)上形成第二绝缘间隔层(125b);以及
在该第二绝缘间隔层(125b)上形成该第二像素电极(126b)。
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