[发明专利]一种N型IBC电池及其制备方法

权利要求书

1.一种N型IBC电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、用热碱对硅片进行双面抛光，所述硅片为N型硅片；

步骤2、对硅片抛光面进行单面硼扩散，形成p⁺区，结深值为0.7～0.9微米，其方阻为65～80Ω/□，再使用HF酸去除硼硅玻璃；

步骤3、前表面制绒；

步骤4、硅片前表面使用高温扩散炉进行单面磷扩散；

步骤5、用PECVD设备在硅片两面镀氮化硅膜；

步骤6、使用激光在硅片背表面的氮化硅层上开孔；激光的功率为4-4.5W，频率为1100-2000kHz，开孔速度为1500-2000mm/s；

步骤7、用NaOH溶液腐蚀背表面开孔区，再用氢氟酸清洗掉氮化硅；所述NaOH溶液温度为85-87℃，浓度为20-30％wt，处理后硅片方阻为150-200Ω/□；再用10-12％wt浓度氢氟酸，浸泡100-110s，清洗掉氮化硅；

步骤8、用丝网印刷机在硅片背表面开孔区域印刷磷浆，再利用高温氧化炉或RTP快速烧结炉处理硅片，进行高温驱入，驱入温度为900-905℃，形成叉指状n⁺区，反应时间为20-30min，处理后，印刷磷浆区域的方阻为50-55Ω/□；

步骤9、在硅片前表面和背表面用高温氧化炉制作SiO₂膜，SiO₂膜厚度为2-5nm，然后在SiO₂膜上沉积SiN_x薄膜，生成SiO₂/SiN_x叠层钝化膜，SiN_x薄膜厚为80-83nm，折射率为1.9-2.2；

步骤10、硅片背面n⁺区印刷银浆，烘干后再在非开孔区印刷银铝浆放入烧结炉进行一次烧结，最终得到N型IBC电池，烧结温度为920-925℃。

2.根据权利要求1所述N型IBC电池的制备方法，其特征在于，步骤2中利用BBr₃源对硅片抛光面进行单面硼扩散，扩散温度为900-910℃。

3.根据权利要求1所述N型IBC电池的制备方法，其特征在于，步骤4中利用POCl₃源对硅片前表面进行单面磷扩散，扩散温度为820-840℃，扩散后的方阻为100Ω/□-150Ω/□，结深为0.7μm-1.1μm。

4.根据权利要求1所述N型IBC电池的制备方法，其特征在于，步骤5中所述氮化硅膜厚为80-83nm，折射率为1.9-2.2。

5.一种N型IBC电池，其特征在于，采用权利要求1-4任意一项所述N型IBC电池的制备方法制备而成。