[发明专利]电感耦合等离子体产生装置及半导体加工设备有效
| 申请号: | 201810235157.0 | 申请日: | 2018-03-21 |
| 公开(公告)号: | CN110299276B | 公开(公告)日: | 2022-11-25 |
| 发明(设计)人: | 郭士选;韦刚;王炳元;苏恒毅 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 施敬勃 |
| 地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电感 耦合 等离子体 产生 装置 半导体 加工 设备 | ||
1.一种电感耦合等离子体产生装置,其特征在于,包括:电感线圈;
所述电感线圈的第一端接地,所述电感线圈的第二端接射频电源;
所述电感线圈的第一端沿远离介质窗的第一方向螺旋缠绕至第二端,且电感线圈在缠绕过程中沿与第一方向垂直的第二方向的尺寸变化,来提高所述电感线圈和所述介质窗之间的平均距离;
所述电感线圈的数量为多个;
在每相邻两个所述电感线圈之间还设置有:屏蔽装置;
所述屏蔽装置接地,用于屏蔽相邻两个所述电感线圈之间的容性耦合;
所述屏蔽装置的朝向所述电感线圈的面上设置有多个贯通其厚度的开口,所述开口沿周向均匀分布。
2.根据权利要求1所述的电感耦合等离子体产生装置,其特征在于,多个所述电感线圈在所述第二方向上间隔套置;
每个所述屏蔽装置间隔套置在对应的相邻两个所述电感线圈之间。
3.根据权利要求1所述的电感耦合等离子体产生装置,其特征在于,所述开口为矩形孔,矩形孔宽度为1mm-2mm,矩形孔长度为2mm-8mm。
4.根据权利要求1所述的电感耦合等离子体产生装置,其特征在于,所述屏蔽装置在所述第一方向上的高度不小于所述电感线圈在第一方向上的高度,以将所述电感线圈在第一方向上完全遮挡。
5.根据权利要求1所述的电感耦合等离子体产生装置,其特征在于,所述屏蔽装置和与之相邻的所述电感线圈沿所述第二方向的距离大于20mm。
6.根据权利要求2所述的电感耦合等离子体产生装置,其特征在于,所述屏蔽装置和与之相邻的两个所述电感线圈沿所述第二方向的距离相等。
7.根据权利要求1至6任一项所述的电感耦合等离子体产生装置,其特征在于,所述电感线圈包括一对子电感线圈;
每个所述子电感线圈沿所述第一方向螺旋缠绕,在缠绕过程中沿与所述第一方向垂直的第二方向的尺寸逐渐增大;
每对所述子电感线圈中的一个子电感线圈的每匝线圈和另一个子电感线圈的每匝线圈间隔缠绕。
8.一种半导体加工设备,其特征在于,包括权利要求1-7任意一项所述的电感耦合等离子体产生装置。
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