[发明专利]外延鳍状结构的制作方法有效

申请号：	201810234864.8	申请日：	2018-03-21
公开（公告）号：	CN110299286B	公开（公告）日：	2022-06-03
发明（设计）人：	谢柏光;曾冠豪;林毓翔;蔡世鸿;曾于庭	申请（专利权）人：	联华电子股份有限公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L21/3065;H01L21/3105;H01L21/311
代理公司：	北京市柳沈律师事务所 11105	代理人：	陈小雯
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	外延结构制作方法
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【说明书】：

本发明公开一种外延鳍状结构的制作方法，其包括下列步骤。提供基底，并于基底中形成凹槽。在基底上形成外延层。外延层部分形成于凹槽内且部分形成于凹槽之外。外延层具有一凹陷形成于外延层的上表面上，且凹陷于基底的厚度方向上对应凹槽。在外延层上共形地形成氮化物层，并于氮化物层上形成氧化物层。进行第一平坦化制作工艺，用以移除部分的氧化物层。第一平坦化制作工艺停止在氮化物层上。对位于凹槽内的外延层进行图案化，用以形成至少一外延鳍状结构。

技术领域

本发明涉及外延鳍状结构的制作方法，尤其是涉及一种具有平坦化制作工艺的外延鳍状结构的制作方法。

背景技术

随着场效晶体管(field effect transistors，FETs)元件尺寸持续地缩小，现有的平面式(planar)场效晶体管元件的发展已面临到制作工艺上的极限。因此，为了克服制作工艺限制，以非平面(non-planar)的场效晶体管元件例如鳍式场效晶体管(fin fieldeffect transistor，FinFET)元件来取代平面晶体管元件已成为目前业界的发展趋势。由于鳍状场效晶体管元件的立体结构可增加栅极与鳍状结构的接触面积，故可进一步增加栅极对于载流子通道区域的控制，从而降低小尺寸元件面临的漏极引发能带降低(draininduced barrier lowering，DIBL)效应，并可以抑制短通道效应(short channel effect，SCE)。此外，由于鳍状场效晶体管元件在同样的栅极长度下可具有更宽的通道宽度，因而可获得较高的漏极电流。

发明内容

本发明提供了一种外延鳍状结构的制作方法，利用于外延层上形成氮化物层与氧化物层之后进行平坦化制作工艺，由此改善外延层的平坦度，并改善所形成的外延鳍状结构的高度一致性。

本发明的一实施例提供一种外延鳍状结构的制作方法，包括下列步骤。首先，提供一基底。在基底中形成一凹槽。在基底上形成一外延层。外延层部分形成于凹槽内且部分形成于凹槽之外。外延层具有一凹陷形成于外延层的上表面上，且凹陷于基底的厚度方向上对应凹槽。在外延层上共形地形成一氮化物层，并于氮化物层上形成一氧化物层。进行一第一平坦化制作工艺，用以移除部分的氧化物层，且第一平坦化制作工艺停止在氮化物层上。对位于凹槽内的外延层进行图案化，用以形成至少一外延鳍状结构。

附图说明

图1至图8为本发明第一实施例的外延鳍状结构的制作方法示意图，其中

图2为图1之后的状况示意图；

图3为图2之后的状况示意图；

图4为图3之后的状况示意图；

图5为图4之后的状况示意图；

图6为图5之后的状况示意图；

图7为图6之后的状况示意图；

图8为图7之后的状况示意图；

图9与图10为本发明第二实施例的外延鳍状结构的制作方法示意图，其中图10为图9之后的状况示意图。

主要元件符号说明

10 基底