[发明专利]一种散裂中子源靶体插件的遥控维护结构在审

专利信息
申请号: 201810234296.1 申请日: 2018-03-21
公开(公告)号: CN108320832A 公开(公告)日: 2018-07-24
发明(设计)人: 纪全;张锐强;魏少红;慕香红;屈化民;王芳卫 申请(专利权)人: 东莞中子科学中心;合肥聚能电物理高技术开发有限公司
主分类号: G21G4/02 分类号: G21G4/02
代理公司: 合肥道正企智知识产权代理有限公司 34130 代理人: 吴琼
地址: 523808 广东省东莞市松山湖高新技术产业*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 靶体 插件 靶座 冷却液管路 散裂中子源 维护结构 过渡盘 拆卸 遥控 安装配重块 高精度定位 热电偶组件 电性连接 定位装配 冷却系统 冷却线路 密封连接 热电偶 连通 改进
【说明书】:

发明公开了一种散裂中子源靶体插件的遥控维护结构,包括靶体插件和设于靶体插件底部的靶座,靶体插件内部设有第一冷却液管路,靶座内部设有第二冷却液管路,靶体插件和靶座之间还设有过渡盘,过渡盘连通第一冷却液管路和第二冷却液管路。本发明通过在靶体插件和靶座上改进冷却系统、定位装配方式以及热电偶组件,在无需额外安装配重块、拆卸冷却线路或者拆卸热电偶的基础上,实现了靶体插件和靶座之间的密封连接、电性连接和高精度定位。

技术领域

本发明属于散裂中子源技术领域,具体涉及一种散裂中子源靶体插件的遥控维护结构。

背景技术

靶体插件是散裂中子源的核心部件,也是中子束的源头,散裂中子源的加速器产生的高能质子,轰击靶体插件,产生中子。当靶系统展开运作时,靶体插件会受到质子轰击,中国散裂中子源(CSNS)的靶材料选用了高密度金属钨,钨靶和靶容器在高能质子轰击下,材料会产生原子离位等辐照损伤,损伤到一定程度,靶体插件需要更换。

更换靶体插件是一个以新靶体插件取代旧靶体插件的过程,其步骤主要包括拆卸旧靶体插件而后安装新靶体插件,但是,经过高能质子轰击的靶体已经被活化,辐射剂量非常高,不能人手更换,需要用遥控机械手等远程操作手段来更换靶体插件。

由于靶体插件接收高能质子轰击时,会沉积大量热量,靶体插件热沉积功率较高,需要良好地冷却系统,否则靶体温度会急剧升高,导致损坏,靶体插件中的靶片之间有间隙,可通过冷却水进行冷却,设计冷却管路用于给冷却水提供通道,将冷却水引至靶座,形成冷却水循环。现有技术中,位于靶座部分的冷却管路为外露管线,在更换靶体插件时,需要遥控机械手拆卸和重新安装这些外露管线,而且还需要增加配重、辅助维护工装等,增大了远程维护的难度。

发明内容

本发明的目的是提供一种散裂中子源靶体插件的遥控维护结构,改进冷却系统的结构,使得靶座上无外露管道,更换靶体插件时,在无需拆卸外露管线、额外安装配重块或者辅助维护工装的基础上,实现了新靶体插件和靶座之间的密封连接、电性连接和高精度定位。

本发明提供了如下的技术方案:一种散裂中子源靶体插件的遥控维护结构,包括靶体插件和设于靶体插件底部的靶座,靶体插件内部设有第一冷却液管路,靶座内部设有第二冷却液管路,靶体插件和靶座之间还设有过渡盘,过渡盘连通第一冷却液管路和第二冷却液管路。

作为上述技术方案的进一步描述:

所述靶体插件底面嵌入设有第一限位槽,靶座顶面设有与第一限位槽相对应的第二限位槽,第一限位槽和第二限位槽形成空腔,过渡盘水平设置于空腔中,且其与空腔的顶面和底面均密封连接;

所述过渡盘上贯穿设有冷却液通孔,第一冷却液管路的端口延伸至空腔顶面,冷却液通孔顶端与第一冷却液管路的端口相连通,第二冷却液管路的端口延伸至空腔底面,冷却液通孔底端与第二冷却液管路的端口相连通,第一冷却液管路、过渡盘和第二冷却液管路共同形成冷却液通道。

作为上述技术方案的进一步描述:

所述冷却液通孔的顶端和底端均嵌入设有环槽,环槽中设有密封件,冷却液通孔顶端通过密封件与第一冷却液管路的端口密封连接,冷却液通孔底端通过密封件与第二冷却液管路的端口密封连接。

作为上述技术方案的进一步描述:

所述靶体插件包括前后相连的靶体和定位连接件,所述定位连接件后端设有配重块。

作为上述技术方案的进一步描述:

所述定位连接件后端嵌入设有配重块安装槽,所述配重块底面向下延伸出滑块,安装槽槽口向内开设有与滑块相适应的滑槽,配重块通过滑块和滑槽卡合于配重块安装槽中。

作为上述技术方案的进一步描述:

所述定位连接件后端还设有与配重块安装槽槽口相适应的固定板。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞中子科学中心;合肥聚能电物理高技术开发有限公司,未经东莞中子科学中心;合肥聚能电物理高技术开发有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810234296.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top