[发明专利]一种LED芯粒及其制作方法

权利要求书

1.一种LED芯粒的制作方法，其特征在于，包括：

制作第一半导体结构，所述第一半导体结构包括：第一衬底、位于所述第一衬底表面的外延结构，位于所述外延结构表面的反射结构，其中，所述第一衬底为砷化镓衬底，所述外延结构包括位于第一衬底表面的腐蚀停止层、位于所述腐蚀停止层表面的欧姆接触层、位于所述欧姆接触层表面的PN结结构以及位于所述PN结结构表面的电流扩展层，所述反射结构包括位于所述电流扩展层表面的第一介质层以及位于所述第一介质层表面的第一金属层；

在所述反射结构表面形成第一金属键合结构；

制作第二半导体结构，所述第二半导体结构包括第二衬底；

利用所述第一金属键合结构键合所述第一半导体结构和所述第二半导体结构；

去除所述第一衬底和所述外延结构中的腐蚀停止层，并去除所述欧姆接触层的部分区域，保留部分区域，在所述PN结结构表面多个预设区域形成至少一个欧姆接触图形，所述预设区域与待制作的LED芯粒一一对应；

在所述预设区域形成焊盘，所述焊盘完全覆盖其所在预设区域的欧姆接触图形；

从所述焊盘侧对所述外延结构进行切割，在所述多个预设区域中任意两个相邻的预设区域之间形成第一切割缝，所述第一切割缝完全贯穿所述PN结结构，且不曝露所述第一金属层；

在所述第一切割缝表面形成第一保护层；

在所述第一切割缝所在区域形成第二切割缝，所述第二切割缝至多贯穿所述第一介质层，且所述第二切割缝的宽度小于所述第一切割缝的宽度；

利用激光划片工艺在所述第二切割缝所在区域形成第三切割缝，所述第三切割缝完全贯穿所述第一金属键合结构并延伸至所述第二衬底内；

从所述第二衬底背离所述第一金属键合结构侧对所述第二衬底进行第四切割缝的切割，直至所述第四切割缝与所述第三切割缝相连通，形成多个独立的LED芯粒。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第一衬底上形成外延结构还包括：在所述欧姆接触层和所述PN结结构之间形成第一限制层。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第一衬底上形成外延结构还包括：

在所述电流扩展层和所述PN结结构之间形成第二限制层。

4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在所述第一衬底上形成外延结构还包括：在所述欧姆接触层与所述第一限制层之间形成粗化层；

在所述第一切割缝表面形成第一保护层之前，该方法还包括：对所述粗化层背离所述第一限制层一侧表面进行粗化处理，使得所述粗化层背离所述第一限制层一侧为粗糙面。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述外延结构背离所述第一衬底一侧形成反射结构包括：

在所述外延结构背离所述第一衬底一侧表面形成第一介质层，所述第一介质层中具有多个接触孔；

在所述第一介质层背离所述外延结构一侧表面以及所述接触孔内形成第一金属层，并在第一预设温度下加热融合第一预设时间。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一切割缝的宽度取值范围为20微米-50微米，包括端点值；所述第一切割峰的深度取值范围为4微米-10微米，包括端点值。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第一切割缝所在区域形成第二切割缝，所述第二切割缝曝露所述第一金属键合结构部分区域包括：

利用ICP干法刻蚀工艺或化学湿法腐蚀工艺，在所述第一切割缝所在区域形成第二切割缝，所述第二切割缝以完全贯穿所述电流扩展层为准，以使得所述第二切割缝曝露所述第一金属键合结构部分区域。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述第二切割缝的宽度取值范围为10微米-40微米，包括端点值。