[发明专利]差动放大电路在审
| 申请号: | 201810233799.7 | 申请日: | 2018-03-21 |
| 公开(公告)号: | CN108631737A | 公开(公告)日: | 2018-10-09 |
| 发明(设计)人: | 津崎敏之;杉浦正一 | 申请(专利权)人: | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;邓毅 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 差动 差动放大电路 输入动作 电流源 晶体管 | ||
本发明提供差动放大电路,该差动放大电路为了实现轨到轨输入动作,具备第一差动输入对和阈值与第一差动输入对不同的第二差动输入对,双方的差动输入对不会同时进行动作。构成为,在第一差动输入对与电流源之间连接晶体管,第一差动输入对和第二差动输入对不会同时进行动作。
技术领域
本发明涉及差动放大电路,更具体地,涉及轨到轨输入动作的电路。
背景技术
差动放大电路在电子设备中用于多种用途。根据用途,所输入的信号电压为GND电压附近或电源电压附近等而具有各种各样的情况。因此,在差动放大电路中,轨到轨输入动作是重要的。
图5示出专利文献1所公开的以往的差动放大电路的电路图。以往的差动放大电路包括反相输入端子511、非反相输入端子512、输出端子513、电源电压509、GND电压510、NMOS耗尽型晶体管501、502、NMOS增强型晶体管503、504、507、508以及PMOS增强型晶体管505、506。
NMOS耗尽型晶体管501、502构成第一差动输入对521。NMOS晶体管503、504构成第二差动输入对522。NMOS晶体管507为供给流过第一差动输入对521的电流的电流源。NMOS晶体管508为供给流过第二差动输入对522的电流的电流源。PMOS晶体管505、506构成所述第一差动输入对521及第二差动输入对522的负载。
图6示出以往的差动放大电路中的动作。通常,差动放大电路使用于负反馈中,因此非反相输入端子512和反相输入端子511成为虚拟短路,而成为大致相同的电压。将该电压定义为同相输入电压VCOM。在此,图6的图表的纵轴示出同相输入电压VCOM,横轴示出第一差动输入对521和第二差动输入对522。
第二差动输入对522由NMOS增强型晶体管503、504构成,因此,在同相输入电压VCOM接近GND电位时,作为第二差动输入对522的电流源的NMOS晶体管508成为非饱和状态而电流不流动,因此差动放大电路无法放大输入信号。
为了实现轨到轨输入,除了由NMOS增强型晶体管构成的第二差动输入对522之外,还并联连接有由NMOS耗尽型晶体管构成的第一差动输入对521。第一差动输入对521由NMOS耗尽型晶体管501、502构成,因此即便同相输入电压VCOM接近GND电压,作为第一差动输入对521的电流源的NMOS晶体管507也不会成为非饱和状态,而电流流动。实现轨到轨输入。
专利文献1:日本特开平8-256026号公报
但是,在专利文献1的差动放大电路中,根据同相输入电压VCOM的值,向由NMOS耗尽型晶体管构成的第一差动输入对521和由NMOS增强型晶体管构成的第二差动输入对522的双方供给来自电流源的电流,导致双方的差动输入对同时进行动作。
发明内容
为了解决以往的课题,本发明的差动放大电路构成为如下。一种差动放大电路,其具备反相输入端子、非反相输入端子及输出端子,该差动放大电路的特征在于,该差动放大电路的具备:第一差动输入对,其将所述反相输入端子和所述非反相输入端子作为输入;第二差动输入对,其晶体管的阈值与第一差动输入对不同,且将所述反相输入端子和所述非反相输入端子作为输入;电流源,其供给流过差动输入对的电流;及开关,其在所述第一差动输入对与所述电流源之间,根据所述反相输入端子和所述非反相输入端子的电压而导通截止。
发明效果
在本发明的差动放大电路中,不依赖于同相输入电压VCOM的值,而从电流源仅向由NMOS耗尽型晶体管构成的第一差动输入对和由NMOS增强型晶体管构成的第二差动输入对中的任一方供给电流。双方的差动输入对不会同时进行动作。
附图说明
图1是示出第一实施方式的差动放大电路的一例的电路图。
图2是示出第一实施方式的电路动作的图。
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