[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质有效
| 申请号: | 201810232825.4 | 申请日: | 2018-03-21 |
| 公开(公告)号: | CN110137072B | 公开(公告)日: | 2023-09-26 |
| 发明(设计)人: | 大桥直史;松井俊 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军;李文屿 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 衬底 处理 装置 半导体器件 制造 方法 记录 介质 | ||
1.衬底处理装置,其具有:
能够收容衬底的处理室;
气化器,其生成向所述衬底供给的分解性的第一气体;
第一供给管,其连接于所述气化器、向所述处理室供给所述第一气体,且具有控制所述第一气体的供给定时的第一定时阀;
非活性气体供给部,其向气化器导入管和所述第一供给管中的任一者或两者供给非活性气体,其中,所述气化器导入管向所述气化器供给气体;
气化器输出管,其从所述气化器向所述第一供给管供给所述第一气体;
第一排出部,其设置于所述第一供给管、将所述第一供给管内的气氛排气;
第二排出部,其设置于所述气化器输出管、连接于比所述第一排出部更靠所述气化器侧的位置,所述第二排出部将所述气化器内的气氛排气;和
控制部,其以能够执行如下处理的方式控制所述第一定时阀、所述非活性气体供给部、所述第一排出部和所述第二排出部,所述处理为:
(a)通过所述第一排出部将所述第一气体排出而对所述第一供给管的内部气氛进行排气的处理;
(b)经由所述第二排出部将所述气化器的内部气氛排气的处理;
(c)在所述(a)与所述(b)的之前或之后,经由所述气化器输出管、所述第一供给管及设于所述第一供给管的第一定时阀而将在所述气化器产生的所述第一气体向不具有所述衬底的所述处理室供给的处理。
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中,
所述第二排出部具有第二排出管和设置于所述第二排出管的第二排出阀,
所述控制部构成为:
在(b)中,所述气化器的内部气氛经由所述第二排出阀而被排出,所述第二排出阀的打开或关闭基于所述气化器内的原料的量、气化器的停机时间或这两者而进行,
关于所述气化器内的原料的量的检测,通过所述气化器内的液体原料的水位、所述气化器内的原料重量、非活性气体的流量的累积值、第一定时阀的打开状态的累积时间中的至少任一者来进行检测。
3.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中,
所述第二排出部具有第二排出管和第二排出阀,
所述控制部构成为控制所述阀,以使得基于所述气化器内的余量数据和所述气化器的停机时间数据中的任一者或两者的数据,变更所述第二排出阀的打开时间,从而将所述气化器内的气氛向所述第二排出管排气。
4.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中,
所述第二排出部具有第二排出管和第二排出阀,
所述控制部构成为控制所述第一排出部和所述第二排出部,以使得在将所述第一供给管内的气氛向所述第一排出部排气后,将所述气化器内的气氛向第二排出管排气。
5.根据权利要求2所述的衬底处理装置,其中,
所述控制部构成为控制所述第一排出部和所述第二排出部,以使得在将所述第一供给管内的气氛向所述第一排出部排气后,将所述气化器内的气氛向所述第二排出管排气。
6.根据权利要求4所述的衬底处理装置,其中,
在比所述第一供给管与所述气化器输出管的连接部靠上游侧并且比所述气化器导入管与所述第一供给管的连接部靠下游侧的位置设置有吹扫阀,
所述控制部控制吹扫阀,以使得当将所述第一供给管的气氛向所述第一排出部排气时,经由所述吹扫阀向所述第一供给管内供给非活性气体。
7.根据权利要求5所述的衬底处理装置,其中,
在比所述第一供给管与所述气化器输出管的连接部靠上游侧并且比所述气化器导入管与所述第一供给管的连接部靠下游侧的位置设置有吹扫阀,
所述控制部控制吹扫阀,以使得当将所述第一供给管的气氛向所述第一排出部排气时,经由所述吹扫阀向所述第一供给管内供给非活性气体。
8.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中,
在所述气化器输出管上设置有输出阀,
所述控制部控制所述第一排出部、所述第二排出部和所述输出阀,以使得在将所述第一供给管内排气至真空气氛、将所述气化器内的气氛排气后,从所述气化器向所述第一供给管内供给所述第一气体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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