[发明专利]一种碳化硼陶瓷的二次烧结方法在审
申请号: | 201810232213.5 | 申请日: | 2018-03-21 |
公开(公告)号: | CN108675793A | 公开(公告)日: | 2018-10-19 |
发明(设计)人: | 王小华;吴方旭;崔莉;初洪超;李宗涛;王丹;马达;谢淼 | 申请(专利权)人: | 北京清核材料科技有限公司 |
主分类号: | C04B35/563 | 分类号: | C04B35/563;C04B35/622;C04B35/645 |
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地址: | 100070 北京市丰台*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 碳化硼 碳化硼陶瓷 二次烧结 陶瓷 烧结 致密化 制备 真空热压烧结技术 熔点 防弹陶瓷材料 烧结致密化 制备碳化硼 质量百分比 冷压成型 去离子水 烧结步骤 物理性能 一次烧结 丙三醇 传统的 纯粉 过筛 球磨 | ||
1.一种碳化硼陶瓷的二次烧结方法,其特征在于使用纯碳化硼进行烧结,且在传统的一次烧结基础上增加再烧结步骤。
2.根据权利要求1所述碳化硼在素坯制备过程中,按质量百分比,碳化硼80%-94%,去离子水5%-15%,丙三醇1%-10%进行混合。
3.根据权利要求1所述碳化硼在素坯在成型之后,水分去除,烧结过程中丙三醇也会全部挥发,因此,烧结有效成分为纯碳化硼。
4.一种碳化硼陶瓷的二次烧结方法,它的实施步骤以及工艺控制参数特征在于:
S1、碳化硼80%-94%,去离子水5%-15%,丙三醇1%-10%,其比例为质量百分比;
S2、将预选比例的碳化硼、去离子水、丙三醇置于球磨罐中,球料比为1∶3,球磨1-3h;
S3、取出球磨后的混合物,将其过200目筛,以期充分混匀;
S4、利用冷压机进行素坯成型,使用压力为15-30MPa;
S5、将坯体置于烘箱中,70-130℃干燥12-20h,得到干燥的坯体;
S6、将成型素坯与石墨模具、附件等组装,入真空热压炉进行烧结;炉内真空度保持在1-0.1Pa;
烧结温度控制机制为:室温-900℃,升温速率为15-25℃/min,保温20-30min;900-1500℃,升温速率为10-15℃/min,保温20-30min;1500℃-1900℃,升温速率为8-10℃/min,保温30min;自然降温至900℃;再次升温,900-1500℃,升温速率为10-15℃/min,保温20-30min;1500℃-1900℃,升温速率为8-10℃/min,保温30min;自然降温至安全温度后出炉;压力控制机制为:0P-30%P,30min;30P-60%P,35min;60P-85%P,45min,保压20-30min;85P-100%P,50min,保压,首次自然降温时逐渐卸载压力,再次升温时再随之升压;保温结束后逐步卸载压力至出炉。
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