[发明专利]提高GaN功放的P1db输出功率的装置及其方法

说明书

本发明公开了一种提高GaN功放的P1db输出功率的装置，包括功率分析仪、可控衰减器、第一功率检测仪、第二功率检测仪和一个衰减器控制器；功率分析仪的输入端与射频输入连接，功率分析仪的输出端与可控衰减器的输入端连接，可控衰减器的输出端与射频输出连接，功率分析仪的采样端与第一功率检测仪的检测端连接，第一功率检测仪的输出端与衰减器控制器的第一输入端连接，可控衰减器的检测端与第二率检测仪的采集端连接，第二功率检测仪的输出端与衰减器控制器的第二输入端连接，衰减器控制器的控制端与可控衰减器的受控端连接。通过检测及反馈，控制可控衰减器实现了对GaN功放的信号补偿。

技术领域

本发明涉及卫星通信、微波、射频技术领域，特别涉及一种提高GaN功放的P1db输出功率的装置及其方法。

背景技术

GaN器件具有宽频带、高饱和电子迁移率和良好的耐温特性，这些特性使得GaN功率管在高功率、高温、高频、高效率等微波射频功率放大器领域都有明显的优势。但是GaN功率管输出功率的线性度相对于传统的GaAs功率管要明显差很多，GaN功率管的P1dB输出功率相对于其饱和输出功率PSAT要低3～6dB，GaN功率管的这一特性极大影响了其在功放设备中使用的便利性。

发明内容

本发明要解决的技术问题是如何提供一种GaN功放的P1dB输出功率补偿至其饱和输出功率PSAT的补偿方法及装置。

为了解决上述技术问题，本发明的技术方案为：

一种提高GaN功放的P1db输出功率的装置，包括功率分析仪、可控衰减器、第一功率检测仪、第二功率检测仪和一个衰减器控制器；所述功率分析仪的输入端与射频输入连接，所述功率分析仪的输出端与所述可控衰减器的输入端连接，所述可控衰减器的输出端与射频输出连接，所述功率分析仪的采样端与所述第一功率检测仪的检测端连接，所述第一功率检测仪的输出端与所述衰减器控制器的第一输入端连接，所述可控衰减器的检测端与所述第二率检测仪的采集端连接，所述第二功率检测仪的输出端与所述衰减器控制器的第二输入端连接，所述衰减器控制器的控制端与所述可控衰减器的受控端连接。

优选地：所述功率检测仪检测功率的多个频率下的带内平坦度。

优选地：所述可控衰减器为有源可控衰减器。

本发明技术方案还提出了一种提高GaN功放的P1db输出功率的方法，包括步骤：

检测、分析输入的射频，并传送至衰减器控制器；

衰减器控制器控制可控衰减器输出补充信号；

检测所述可控衰减器的输出信号，并传送至衰减器控制器；

所述衰减器控制器控制所述可控衰减器输出补充信号。

优选地：所述功率检测仪检测功率的多个频率下的带内平坦度。

优选地：述可控衰减器为有源可控衰减器。

采用上述技术方案，由包括功率分析仪、可控衰减器、第一功率检测仪、第二功率检测仪和一个衰减器控制器，形成一种提高GaN功放的P1db输出功率的装置。通过功率分析仪及功率检测仪检测分析其输入端、输出端的P1dB输出功率，并发送至衰减器控制器，通过衰减器控制器计算后控制可控衰减器发出补偿信号，进而将P1db补充至炮和功率。本技术方案利用软件简化了硬件电路解决GaN功放增益和功率线性范围的难题，无需改变功率管的工作状态，因而可充分发挥GaN器件的优势，显著提升GaN功放的P1dB输出功率至其饱和输出功率PSAT。

附图说明

图1为本发明提高GaN功放的P1db输出功率的装置一实施例的原理图；

图2为本发明提高GaN功放的P1db输出功率的方法的流程示意图。