[发明专利]像素单元、像素结构和显示面板有效
申请号: | 201810229637.6 | 申请日: | 2018-03-20 |
公开(公告)号: | CN108336119B | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 高昊;张伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 魏艳新;姜春咸 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 单元 结构 显示 面板 | ||
1.一种像素结构,所述像素结构包括多个不同颜色的子像素,其特征在于,每一所述子像素均设置有相同的选定颜色的发光器件、分别位于所述发光器件两侧的能量加强结构和位于所述能量加强结构一侧的光处理膜层,所述选定颜色为多个不同颜色中光波最长的颜色;所述能量加强结构使得所述发光器件发出的光能量满足所述光处理膜层的转换要求;所述光处理膜层用于散射选定颜色的光或将所述选定颜色的光转换为不同颜色的光;
所述发光器件至少包括依次层叠设置的阳极、发光层和阴极,不同颜色的子像素至少包括红色、绿色和蓝色,所述选定颜色为红色,所述发光器件的发光层采用红色发光材料形成;
对应着所述选定颜色的所述子像素的所述光处理膜层为散射所述发光器件的选定色光的光散射膜层,所述光散射膜层采用掺杂颗粒的有机材料形成;
对应着除所述选定颜色以外的其他颜色的所述子像素的所述光处理膜层为使得所述发光器件的所述选定颜色转换为对应颜色的光转换膜层,所述光转换膜层采用包括掺杂稀土离子化合物的材料形成;
所述光转换膜层包括绿光转换膜层和蓝光转换膜层,绿光转换膜层采用NaF作为基质,Y3+、Yb3+、Ho3+作为掺杂,柠檬酸作为掺杂剂的混合材料形成,蓝光转换膜层采用采用NaF作为基质,Y3+、Yb3+、Tm3+作为掺杂,柠檬酸作为掺杂剂的混合材料形成;
所述光散射膜层包括红光散射膜层,掺杂颗粒的有机材料为掺杂ZnO和CaCO3中至少一种颗粒的PMMA;
所述能量加强结构包括至少一对能量匹配层对,所述能量匹配层对包括顺序叠置的第一折射层和第二折射层,所述第一折射层和所述第二折射层具有不同的折射率;
每一所述第一折射层、每一所述第二折射层的厚度均为所述选定颜色的1/4波长。
2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一折射层与所述第二折射层的折射率差大于等于0.4。
3.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一折射层包括TiO2、SiO2中的至少一种,所述第二折射层包括ZnS、MgF2中的至少一种。
4.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-3任一项所述的所述像素结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的