[发明专利]一种新型结构的杂散抑制型垂直叉指电容

说明书

本发明公开了一种新型结构的杂散抑制型垂直叉指电容，其特征在于：所述电容被设计成8层方形结构，从俯视角度可分为上侧面、下侧面、左侧面和右侧面共四个侧面；所述左侧面设有端口1，所述下侧面设有端口2；所述电容具有八节方形叉指，分别位于第1至8层；所述上侧面利用垂直过孔与过孔连结柱连接第1、3、5、7节叉指的不相邻开路端；所述右侧面利用垂直过孔与过孔连接柱连接第2、4、6、8节叉指的不相邻开路端。本发明有成本低，成品率高，可靠性高，耐高温，更适合于恶劣环境等优点；同时抑制了频率响应中的杂散尖峰，提高了100%的可用带宽；并且在保证Q值的同时，提高了约20%电容值，进一步实现了电容的小型化。

技术领域

本发明涉及一种新型结构的杂散抑制型垂直叉指电容，属于电子器件领域。

背景技术

传统垂直叉指电容（Vertical Interdigital Capacitance, VIC）因为具有较大的电容能力、高Q值、体积小的特点常常用于制作集总滤波器或是多层基板的耦合器。

通常情况下，越低的应用频率往往会导致电容能力需求越大。目前增强VIC电容的两种方式增加了叉指的尺寸或数量，然而增加叉指的尺寸对于降低滤波器的尺寸没有帮助。增加指状物的数量导致在多个频点出产生不期望的共振，或寄生杂散尖峰，从而限值了其可用频带。

由于垂直叉指电容是一个多导体、多指结构结构，导致了其等效电路电路中具有多个通带和阻带。所有的垂直叉指电容在设计和制作是都具有这个问题，目前主要通过金丝键合连接不相邻开路端消除杂散，但是因为VIC电容叉指被封装进了多层基底之中，所以这种方法并不适合叉指电容。垂直叉指电容之中的过孔和缺陷结构有利于消除杂散,但是这样该电容的结构过于复杂，不易加工和制作。此外，电容的容值大小与面积成正比，利用缺陷结构将过孔嵌入到电容中不利于电容整体尺寸的减小。

发明内容

本发明针对现有技术存在的因为出现不期望的共振或寄生杂散尖峰，从而限制可用频带的缺陷，提出了一种新型结构的杂散抑制型垂直叉指电容（SSEVIC）。

为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是一种新型结构的杂散抑制型垂直叉指电容，其特征在于：

所述电容被设计成8层方形结构，所述方形结构从俯视角度可分为上侧面、下侧面、左侧面和右侧面共四个侧面；

所述左侧面设有端口1，所述下侧面设有端口2；

所述电容具有八节方形叉指，每节叉指分别位于第1、2、3、4、5、6、7、8层；

所述上侧面利用垂直过孔与过孔连结柱连接第1、3、5、7节叉指的不相邻开路端；

所述右侧面利用垂直过孔与过孔连接柱连接第2、4、6、8节叉指的不相邻开路端。

进一步地，所述端口1、端口2及垂直过孔均设置在方形叉指各边中央，以便更好的排版同时提高电容的Q值和容值。

进一步地，所述端口1位于左侧面，通过垂直过孔连接垂直叉指电容的 1、3、5、7层叉指不相邻开路端。

进一步地，所述端口2位于下侧面，通过垂直过孔连接垂直叉指电容的2、4、6、8层叉指不相邻开路端。

有益效果

1.本发明的杂散抑制型垂直叉指电容（SSEVIC）通过8层的低温共烧陶瓷(LTCC)基底实现，相比传统电容具有成本低，成品率高，可靠性高，耐高温，更适合于恶劣环境等优点。

2.本发明的杂散抑制型垂直叉指电容（SSEVIC）克服了传统 VIC电容杂散尖峰多、带宽窄的缺点，在VIC电容之外通过垂直过孔连接不相邻开路端，从而抑制了频率响应中的杂散尖峰，提高了100%的可用带宽。