[发明专利]加工方法在审
| 申请号： | 201810224063.3 | 申请日： | 2018-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN108630536A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 田渕智隆 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;乔婉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 被加工物 粘贴 槽形成 加工 喷射 激光加工装置 分割预定线 切削刀具 喷射物 板状 堵塞 分割 | ||
【权利要求书】：
1.一种加工方法，是设定有多条分割预定线并且在板状物的背面上形成有膜的被加工物的加工方法，其中，该加工方法具有如下的步骤：
槽形成步骤，从被加工物的正面沿着该分割预定线形成槽；
扩展片粘贴步骤，在实施了该槽形成步骤之后，在被加工物的正面上粘贴扩展片；
扩展步骤，在实施了该扩展片粘贴步骤之后，对该扩展片进行扩展；以及
喷射步骤，在实施了该扩展步骤之后，对被加工物的该膜喷射喷射物。
2.根据权利要求1所述的加工方法，其中，
该加工方法具有如下的第一喷射步骤：在实施所述扩展步骤之前，对被加工物的所述膜喷射喷射物。
3.根据权利要求1或2所述的加工方法，其中，
所述喷射物包含固态二氧化碳颗粒。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科，未经株式会社迪思科许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810224063.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体结构及其形成方法
- 下一篇：一种平坦化方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
