[发明专利]一种阵列基板及制备方法

说明书

本发明提供一种阵列基板及制备方法，所述阵列基板包括：基板；金属遮光层，设置于所述基板表面；多晶硅层，设置于所述金属遮光层之上；其中，所述金属遮光层的面积大于等于所述多晶硅层的面积，且所述多晶硅层在所述金属遮光层上的投影落入所述金属遮光层的范围内，所述多晶硅层的膜层厚度均一。从而避免了所述多晶硅层在所述金属遮光层边缘位置的膜层偏薄的问题，改善了TFT电性，提高了产品良率。

技术领域

本发明涉及阵列基板制造技术领域，尤其涉及一种阵列基板及制备方法。

背景技术

低温多晶硅面板借着其高分辨率，高迁移率，低功耗等诸多优点已成为了目前平板显示产品中的明星产品，被广泛应用在例如苹果、三星、华为、小米、魅族等各大手机及平板电脑上，但由于低温多晶硅器件制程复杂，目前多采用顶栅结构，因此需要在玻璃表面首先成膜一层LS(遮光层金属膜，后面简称为LS)，LS位于低温多晶硅面板制程的第一道成膜，位于阵列所有膜层的最下面，传统设计中Poly(多晶硅薄膜，后面简称Poly)都会跨过LS边缘，在LS边缘位置会造成Poly膜层偏薄甚至断掉，导致Poly在LS边缘爬坡位置会发生电性异常，从而引起群亮暗点等不良。

因此，有必要提供一种阵列基板及制备方法，以解决现有技术所存在的问题。

发明内容

本发明提供一种阵列基板及制备方法，能够避免多晶硅薄膜经过金属遮光层边缘，从而避免多晶硅薄膜在金属遮光层边缘膜层偏薄的问题，进而实现改善产品性能，提高产品良率的目的。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种阵列基板，包括：

基板；

金属遮光层，设置于所述基板表面；

多晶硅层，设置于所述金属遮光层之上；

其中，所述金属遮光层的面积大于等于所述多晶硅层的面积，且所述多晶硅层在所述金属遮光层上的投影落入所述金属遮光层的范围内，所述多晶硅层的膜层厚度均一。

根据本发明一优选实施例，所述金属遮光层的形状为U形。

根据本发明一优选实施例，所述金属遮光层的宽度比所述多晶硅层的宽度宽0.5微米～2微米。

根据本发明一优选实施例，所述金属遮光层的边缘为直线、折线或者弧线。

根据本发明一优选实施例，所述金属遮光层的形状为矩形或梯形。

本发明还提供一种阵列基板的制备方法，所述方法包括以下步骤：

步骤S1、提供一基板，在所述基板上制备间隔分布的金属遮光层；

步骤S2、在所述基板上制备一层与所述金属遮光层厚度相同的缓冲层，进行图案化，将对应所述金属遮光层上方的所述缓冲层去除，形成与所述金属遮光层同平面的缓冲层图案；

步骤S3、在所述缓冲层图案以及所述金属遮光层上再制备一层预设厚度的缓冲层；

步骤S4、在所述缓冲层上对应所述金属遮光层的相应位置制备多晶硅层，其中，形成的所述多晶硅层的膜层厚度均一。

根据本发明一优选实施例，所述金属遮光层的形状为U形或矩形，或者梯形。

根据本发明一优选实施例，所述金属遮光层的边缘为直线、折线或者弧线。

根据本发明一优选实施例，所述多晶硅层在所述基板上的投影落入所述金属遮光层在所述基板上的投影的范围内。

根据本发明一优选实施例，所述多晶硅层在所述基板上的投影与所述金属遮光层在所述基板上的投影不完全重叠。